[实用新型]双模式电容触控面板

权利要求书

1.双模式电容触控面板，包括闭路相连的信号处理单元及其信号判别回路、FPC软板出线区，以及通过银导路相连的电容式触控单元，其特征在于：所述触控单元包括表层的铭板层，以及铭板层内侧依次贴设的第一OCA光学胶层、第一ITO导电膜、第一轴向线迹感应层、绝缘层、第二轴向线迹感应层、第二ITO导电膜及第二OCA光学胶层，构成一平面板体，且所述触控单元分为窗口区和按键区，并在触控单元相对于窗口区的底侧贴设一支撑基板、相对于按键区的底侧与按压键盘相结合。

2.根据权利要求1所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述第一轴向线迹层与第二轴向线迹层分别具有复数条等距平行排列的透明线迹，且两线迹间由一绝缘层分开呈对向配置；各线迹由绝缘分隔、两层或两层以上堆栈的银导路连接到FPC软板出线区，进而连接到信号处理单元。

3.根据权利要求2所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述第一轴向线迹感应层与第二轴向线迹感应层为氧化铟锡薄膜。

4.根据权利要求2所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述线迹宽度介于0.05～6mm之间。

5.根据权利要求2所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述银导路为两层或两层以上堆栈，且各层之间均涂布有绝缘层。

6.根据权利要求5所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述堆栈后的银导路宽度介于0.2～0.3mm之间；银导路彼此间距介于0.3～0.4mm之间。

7.根据权利要求1所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述铭板层表面涂设有材质为SiO₂、TiO₂、Ag、ZrO₂或Se₂O₅其中之一的膜层。

8.根据权利要求1所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述电容触控面板在其外框处设有防EMI电磁干扰走线。

9.根据权利要求1所述的双模式电容触控面板，其特征在于：所述电容触控面板在其正视顶部的非触控单元区域贯穿设有一个以上的通孔。