[发明专利]导电片结构有效

专利信息
申请号: 200910306989.8 申请日: 2009-09-14
公开(公告)号: CN102024508A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 王相华 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G02F1/133;B32B9/04;B32B33/00;G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 导电 结构
【权利要求书】:

1.一种导电片结构,其包括一基板和一纳米碳管层,其特征在于:该导电片结构进一步包括一第一功能层,该第一功能层具有抗反射、抗污、抗指纹、抗眩、抗牛顿环、抗静电和抗刮的功能中的其中之一。

2.如权利要求1所述的导电片结构,其特征在于:该第一功能层与该纳米碳管层位于该基板的一侧,且该第一功能层包括一抗反射层、一抗眩层、一抗牛顿环层及一抗刮的硬化涂层中的其中之一。

3.如权利要求2所述的导电片结构,其特征在于:该抗反射层包括一低折射率涂层,该低折射率涂层的折射系数固定且小于该基板的折射系数。

4.如权利要求3所述的导电片结构,其特征在于:该低折射率涂层的折射系数小于1.49。

5.如权利要求4所述的导电片结构,其特征在于:该低折射率涂层的折射系数大于1.2。

6.如权利要求3所述的导电片结构,其特征在于:该抗反射层进一步包括一高折射率涂层,该高折射率涂层的折射系数固定,且大于该低折射率涂层的折射系数并小于该基板的折射系数。

7.如权利要求3所述的导电片结构,其特征在于:该低折射率涂层位于该纳米碳管层与该基板之间,该低折射率涂层的厚度小于10um。

8.如权利要求2所述的导电片结构,其特征在于:该纳米碳管层位于该第一功能层与该基板之间,该第一功能层接触该纳米碳管层,且该第一功能层的厚度小于2um。

9.如权利要求2所述的导电片结构,其特征在于:该导电片结构进一步包括一第二功能层,该第二功能层设于该基板的另一侧,具有抗反射、抗污、抗指纹、抗眩、抗牛顿环、抗静电和抗刮的功能中的其中之一。

10.一种导电片结构,其包括一基板和一纳米碳管层,其特征在于:该导电片结构进一步包括一第一功能层,该纳米碳管层位于该第一功能层与该基板之间,该第一功能层接触该纳米碳管层,且该第一功能层的厚度小于2um。

11.如权利要求10所述的导电片结构,其特征在于:该第一功能层包括一抗反射层、一抗眩层、一抗牛顿环层及一抗括的硬化涂层中的其中之一。

12.如权利要求11所述的导电片结构,其特征在于:该抗反射层包括一低折射率涂层,该低折射率涂层的折射系数固定且小于该基板的折射系数。

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