[发明专利]真空溅射装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种溅射装置，尤其涉及一种真空溅射装置。

背景技术

真空镀膜技术中的溅镀法(Sputtering)，其原理是在一真空腔体中通入工作气体(通常为Ar或N₂等惰性气体)，并以基材为阳极，以靶材为阴极，使得工作气体在高压电场作用下，被解离成正离子与电子，即形成等离子(Plasma)，而等离子中的正离子在高压电场中会加速移动并轰击靶材(Target)的表面，使靶材原子或团簇(Cluster)溅飞出并沉积、附着在目标基材(Substrate)的表面上，以形成薄膜。

在现有的真空溅射装置中，一般使用单一真空腔体进行镀膜。镀膜过程一般包括以下步骤：1.将待镀产品放入单一腔体中；2.关闭阀门，并将单一腔体抽为真空；3.预热待镀产品以及靶材；4.对待镀产品溅射镀膜。溅镀完成后，打开阀门，并将完成镀膜的产品取出。然而，将腔体打开时，腔体即丧失真空状态，进入腔体内的空气会与还有余热的靶材接触，使得靶材很容易被氧化，进而影响下一次溅镀制程的镀膜质量。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够提高镀膜质量的真空溅射装置。

一种真空溅射装置，其用于对基材镀膜。所述真空溅射装置包括内空的第一屏蔽罩以及第二屏蔽罩，所述第一屏蔽罩与所述第二屏蔽罩之间设置有一第一阀门，所述第一阀门用于控制所述第一屏蔽罩与所述第二屏蔽罩隔开或连通。所述第一屏蔽罩上开设有一抽真空孔，其用于在每次打开第一阀门前，通过一真空装置将第一屏蔽罩内部抽为真空。所述第二屏蔽罩的内侧壁上设置有多个靶材。所述第一屏蔽罩在与第一阀门相对的底面上设置有一升降装置，所述升降装置包括一轴向气压缸以及一支撑轴。所述基材设置在支撑轴远离轴向气压缸的端部且朝向所述第二屏蔽罩。所述轴向气压缸固定在第一屏蔽罩上，其用于控制所述支撑轴相对所述第二屏蔽罩往返运动，使得基材进入第二屏蔽罩与靶材相对或者从第二屏蔽罩回到第一屏蔽罩内。

与现有技术相比，本发明的真空溅射装置，通过使用第一屏蔽罩以及升降装置在第二屏蔽罩与外界空气之间传递基材，并在每次打开第一阀门前将第一屏蔽罩内部抽为真空，能够在溅镀过程中保持第二屏蔽罩始终为真空状态，避免空气进入第二屏蔽罩氧化靶材，提高了镀膜质量。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式提供的真空溅射装置在溅镀前的结构示意图；

图2为图1的真空溅射装置在溅镀时的结构示意图；

图3为图1的真空溅射装置在溅镀后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

如图1所示，本发明实施方式提供的一种真空溅射装置100，其用于在真空环境下通过溅射方式对基材200进行镀膜。本实施方式中，所述基材200为手机外壳。所述真空溅射装置100包括内空的第一屏蔽罩10、第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30，所述第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30并排在所述第一屏蔽罩10的一外侧表面。所述第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30的内侧壁上分别均匀分布有多个靶材40，所述靶材40用于在加热状态下向基材200提供镀膜粒子，所述第二屏蔽罩20用于对靶材40加热并对基材200溅镀。所述第一屏蔽罩10与第二屏蔽罩20、第三屏蔽罩30之间设置有一第一阀门50，所述第一阀门50用于控制第一屏蔽罩10与第二屏蔽罩20、第三屏蔽罩30连通或隔开。

所述真空溅射装置100上还开设有抽真空孔101、基材接地线孔102以及靶材接地线孔103。所述抽真空孔101用于在每次打开第一阀门50前，将第一屏蔽罩10内部抽为真空。所述基材200上连接有一基材接地线201，所述靶材50上连接有一靶材接地线51。所述基材接地线201从所述基材接地线孔102引出真空溅射装置100外，所述靶材接地线51从所述靶材接地线103孔引出真空溅射装置100外。