[发明专利]一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方案有效
申请号: | 200910264501.X | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101820021A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 屈盛 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226600 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 镂空 印刷 模版 设计方案 | ||
技术领域:
本发明涉及的是一种晶体硅太阳电池制备的技术领域,具体涉及 的一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方法。
背景技术:
晶体硅太阳电池金属电极的制作目前一般是采用丝网印刷的方 法进行的,即先利用丝网版将金属电极浆料印刷到硅片上形成一定的 电极图案,然后再进行高温烧结,使金属固化并在连接处与硅片形成 合金和欧姆接触。其中,这里的金属电极浆料相当于其它印刷技术中 的油墨。丝网印刷模版是将带有印刷图案的感光乳剂层粘贴在不锈钢 丝网纱背面上而获得。丝网印刷的晶体硅太阳电池电极的最小宽度决 定于不锈钢丝网纱的网眼大小。目前,丝网印刷的晶体硅太阳电池的 电极最小尺寸在100-110μm左右,经过烧结后高度在15μm左右。 当要求金属电极的宽度进一步降低(例如降低至100μm以下)时,丝 网印刷将会不可避免出现由于丝网版堵塞而引起的电极栅线断裂的 现象,这使得利用丝网印刷方法难以制备出更为精细的太阳电池金属 电极栅线。
正因为丝网印刷的上述局限性,人们一直希望能够找到一种简 单、低成本的方法来代替丝网印刷而制备出更细、更高的晶体硅太阳 电池电极栅线,以减小电极的遮光面积,提高光电转换效率。将镂空 模版印刷(stencil print)技术应用于晶体硅太阳电池电极制作就是 其中的一种尝试。镂空版印刷技术已经较为广泛地应用于集成电路中 的表面贴装技术(surface mount technology,SMT)领域,其特点是 在一块固体板(如不锈钢板)上镂空出印刷图案而获得印刷模版。镂空 印刷模版与丝网印刷模版的区别在于,镂空版是一块带有图案的固体 板,而丝网版则是一块带有图案的不锈钢丝网纱,所以,镂空印刷模 版的镂空狭缝中没有像丝网版那样的不锈钢网丝,因而具有更大的开 口比(达到95%以上,而丝网版在40%左右)和更好的脱墨特性,可 以印刷出更细、更高、更结实的晶体硅太阳电池电极栅线。
当将镂空版印刷技术应用于晶体硅太阳电池电极的制作时,不能 直接采用原来的SMT领域中的镂空印刷模版,而需要对镂空印刷模版 进行改造,因为:①晶体硅太阳电池电极的宽度相比SMT领域中的加 工尺寸更细小,镂空版的加工精度将会大大增加,这是限制镂空印刷 版在晶体硅太阳电池电极制作领域应用的主要问题。②晶体硅太阳电 池电极是相互连接在一起的,但镂空版的印刷图案的线条是不能相互 连通,因为,这样不仅镂空版会失去应有的机械强度而断裂,而且其 印刷图案将失去原来的意义,例如,在固体板镂空出一个完全连通的 圆环,则镂空出来的图案则是一个圆。③镂空版的镂空狭缝中必须存 在一定数量的桥连,以增加镂空版的机械强度和保证镂空版的印刷图 案,而且桥连的宽度要足够小,以使得印刷在其两侧的电极浆料能够 通过流动而连接在一起,形成一副连续而完整的电极图案。
因此,对镂空版印刷技术进行改进,并应用于晶体硅太阳电池电 极的制作时,将会带来两个问题:①如何降低镂空印刷模版的加工精 度以实现它的低成本加工与应用;②如何巧妙地设计镂空印刷模版印 刷图案线条以保证印刷出来的太阳电池电极的连续性和完整性。
发明内容:
本发明的目的是提供一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设 计方法,它能既保证了印刷出来的太阳电池电极的连续性和完整性, 又降低了镂空印刷模版的加工精度。
为了解决背景技术所存在的问题,本发明是采用以下技术方案: 镂空模版的印刷图案是在它的固体板上镂空出来的,由多条镂空狭缝 组成;固体板上的一条镂空狭缝就对应于一条印刷图案线条,而其中 一条镂空狭缝由多段镂空狭缝组成;相邻的两段镂空狭缝交叠错开排 列,在相邻两段镂空狭缝的交接处形成一桥连,桥连的长度即是两段 镂空狭缝的交叠程度,桥连的宽度是两段镂空狭缝错开的距离。
所述的桥连是在相邻两段镂空狭缝的交接处形成的、没有被镂空 的地方,桥连还可以增加镂空模版的机械强度,桥连的数量根据模版 所需要的机械强度和开口比进行调整;印刷图案的线条就对应于固体 板上的镂空狭缝,其宽度可以根据需要在0.02mm-50mm之间进行调 整。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的