[发明专利]一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方案有效
申请号: | 200910264501.X | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101820021A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 屈盛 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226600 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 镂空 印刷 模版 设计方案 | ||
1.一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方法,其特征在于镂空模版的印刷图案是在它的固体板上镂空出来的,它是由多条镂空狭缝组成,固体板上的一条镂空狭缝就对应于一条印刷图案线条;而其中一条镂空狭缝由多段镂空狭缝组成,相邻的两段镂空狭缝交叠错开排列,在相邻两段镂空狭缝的交接处形成一桥连,桥连的长度即是两段镂空狭缝的交叠程度,桥连的宽度是两段镂空狭缝错开的距离。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方法,其特征在于所述的桥连是在相邻两段镂空狭缝的交接处形成的没有被镂空的地方,桥连的数量根据模版所需要的机械强度和开口比进行调整。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方法,其特征在于所述的镂空狭缝的宽度为0.02mm-50mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的