[发明专利]高纯度碳化硅微粉的生产方法无效
| 申请号： | 200910256514.2 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101734662A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘士文;郑明金;王义东;刘荔;王勇 | 申请（专利权）人： | 昌乐鑫源碳化硅微粉有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 赵玉峰 |
| 地址： | 262405 山东省潍坊市昌乐*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 碳化硅 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于包括步骤：
提纯 将碳化硅颗粒进行酸碱洗提纯；
打浆 将提纯后碳化硅颗粒按重量比1∶1.5-3与水混合搅拌；
研磨 将打浆后碳化硅浆研磨，研磨介质为粒径2-5mm的单晶碳化硅；
提纯 将研磨后的碳化硅颗粒再次进行酸碱洗提纯；
水洗 水洗，PH值5-6；
脱水、烘干 脱水后烘干并破团得高纯度碳化硅微粉。
2.如权利要求1所述的高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述研磨采用立式多盘研磨机研磨。
3.如权利要求1所述的高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述研磨介质为表面圆滑单晶碳化硅。
4.如权利要求1所述的高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述烘干温度100-140℃，时间28小时-40小时。
5.如权利要求1、2、3或4所述的高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述单晶碳化硅是先采用将晶体碳化硅块破碎至粒径4mm-6mm单晶碳化硅，然后经整形加工得表面圆滑的单晶碳化硅，再经分级得粒径2mm-5mm的单晶碳化硅，再将其单晶碳化硅提纯、脱水和烘干得单晶碳化硅研磨介质。
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