[发明专利]基板支撑单元、使用该单元抛光基板的装置及方法有效
申请号: | 200910224193.8 | 申请日: | 2009-11-26 |
公开(公告)号: | CN101740450A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李泽烨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 单元 使用 抛光 装置 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本美国非临时申请根据35U.S.C.§119,要求申请日为2008年11月26日的韩国 专利申请号10-2008-0118105的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
背景技术
本发明公开了一种制造半导体的装置和方法,更特别地,涉及一种以单晶 圆加工方式支撑半导体基板的基板支撑单元,以及使用该基板支撑单元抛光和 清洗基板的基板抛光装置。
在一般的半导体器件制造过程中,为了形成和堆积薄膜,需要重复执行多 个单元过程,例如沉积、光刻和蚀刻过程。重复执行这些过程直到在薄板上形 成期望的预定电路图案。当该电路图案形成之后,在该薄板的表面上形成许多 弯曲部分。由于半导体器件目前被高度集成并且在结构上具有多层化,薄板表 面上弯曲部分的数量和这些弯曲部分之间的高度差都将增加。结果,由于该薄 板表面的不平坦,在光刻过程中将会出现散焦。因此,为了实现薄板表面的平 坦化,应当对薄板表面进行定期抛光。
为了使薄板表面平坦,产生了各种表面平坦化技术。在这些技术当中,化 学机械抛光(CMP)技术被广泛采用,因为,采用CMP技术,宽的表面和窄的表 面都可以以良好的平整度被平坦化。通过使用机械摩擦剂和化学研磨剂,可以 利用CMP装置对涂覆有钨或氧化物的薄板表面进行抛光,并且,使用CMP装置可 能得到非常好的抛光效果。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种基板支撑单元,在所述基板支撑单元上,基 板抛光过程和后续清洗过程以单晶圆加工方式被顺序执行,以及使用该基板支 撑单元抛光基板的装置及方法。
本发明构思的目的不限于上述所记载的,显然,所属技术领域专业人员可 以通过下面的描述理解本发明构思的其他目的。
本发明构思的实施例提供的基板支撑单元包括:真空板,用于真空吸附基 板;夹持部件,插入贯穿所述真空板的孔中;驱动部件,垂直移动所述夹持部 件以支撑放置在所述真空板上的基板,从而使所述基板向上与所述真空板隔离 开。
在一些实施例中,所述驱动部件可以包括:连上磁力构件,所述上磁力构 件连接到所述夹持部件;下磁力构件,所述下磁力构件中的一个磁极被定向, 以使磁斥力在所述上磁力构件和下磁力构件之间作用,所述下磁力构件设置在 所述上磁力构件的下方,以与所述上磁力构件相对设置;线性驱动单元,所述 线性驱动单元垂直移动所述下磁力构件。
在其他实施例中,所述夹持部件可以包括支撑所述基板底面的支撑销、和 支撑所述基板侧面的夹持销。
在其他实施例中,所述上磁力构件可以包括连接到所述支撑销的第一上磁 力构件、和连接到所述夹持销的第二上磁力构件。
在其他实施例中,所述下磁力构件可以包括:第一下磁力构件,所述第一 下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力在所述第一上磁力构件和第一下 磁力构件之间作用,所述第一下磁力构件设置在所述第一上磁力构件的下方; 以及第二下磁力构件,所述第二下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力 在所述第二上磁力构件和第二下磁力构件之间作用,所述第二下磁力构件设置 在所述第二上磁力构件的下方,其中,所述线性驱动单元可以包括:垂直移动 所述第一下磁力构件的第一线性驱动单元;以及垂直移动所述第二下磁力构件 的第二线性驱动单元。
在其他实施例中,所述第一上磁力构件和第二上磁力构件,以及所述第一 下磁力构件和第二下磁力构件可以均为环状。
在另外的实施例中,在所述真空板的顶面可以限定有多个真空吸附孔,在 所述真空板内可以设置有使所述真空吸附孔彼此连接的真空管线,其中,所述 基板支撑单元可以进一步包括:为所述真空管线提供负压以真空吸附所述基板 的抽气组件;以及在所述基板向上与所述真空板隔离开的状态下,向所述真空 管线供应气体,以防止外界异物被引入所述真空吸附孔的气体供应组件。
在另外的实施例中,所述基板支撑单元可以进一步包括:转动所述真空板 的中空型旋转驱动单元;以及插入到所述旋转驱动单元中空部分的后喷嘴组件, 所述后喷嘴组件向所述向上与真空板隔离开的基板的底面喷射清洗液。
在另外的实施例中,所述基板支撑单元可以进一步包括:垂直移动所述后 喷嘴组件的后喷嘴驱动单元,以使所述后喷嘴组件从所述真空板的顶面伸出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造