[发明专利]一种共极型薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种共极型薄膜太阳电池的制备方法，具体为：

(1)在透明衬底上，首先制成绒面结构，以增强光吸收性能；

(2)制备ITO透明电极；

(3)利用等离子体化学气相沉积系统依次制备p⁺、p、i、n、i、p、p⁺薄膜层；

(4)制备ITO透明电极；

(5)进行太阳电池版刻蚀和封装后续工艺；

所述步骤(2)和(4)中ITO透明电极的具体制备过程为：玻璃衬底首先在碱液中清洗，然后置于HF溶液中浸泡10min，完成后用去离子水清洗，在烘箱内烘干，溅射前真空室本底真空高于3.6×10^-4Pa，在导入总流量为100mL/min、体积比为3.5∶1.5的Ar和O₂的混合气体后溅射成膜；步骤(3)中利用PECVD方法制备纳米硅本征吸收层即i层，其中所用硅烷的稀释比[SiH₄]/[SiH₄+H₂]是5％；利用PECVD方法和硼的掺杂制备P型纳米硅薄膜，硼烷与硅烷的体积流量比小于2∶1；所用硅烷的稀释比[SiH₄]/[SiH₄+H₂]是5％，硼烷的稀释比[B₂H₆]/[B₂H₆+H₂]是0.5％；利用PECVD方法和硼的掺杂制备P⁺型纳米硅薄膜，硼烷与硅烷的体积流量比大于1∶1；所用硅烷的稀释比[SiH₄]/[SiH₄+H₂]是5％，硼烷的稀释比[B₂H₆]/[B₂H₆+H₂]是0.5％；利用PECVD方法和磷的掺杂来制备N型纳米硅薄膜，磷烷与硅烷的流量比在体积1∶20～4∶25；其中所用硅烷的稀释比[SiH₄]/[SiH₄+H₂]是5％，磷烷的稀释比[PH₃]/[PH₃+H₂]是0.5％。

2.权利要求1所述的一种共极型薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：PECVD的沉积条件为：本底真空在1.6×10^-4Pa，射频功率在200～300W，频率13.56MHz，沉积温度在280℃，直流偏压200V，反应压强200pa。