[发明专利]灵敏放大器装置及其输出控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储技术领域，特别涉及一种灵敏放大器装置及其输出控制方法。

背景技术

随着手机、掌上电脑、GPS等便携式电子设备的广泛应用，半导体存储器技术快速发展。近年来，由于DRAM、EEPROM、FLASH等先进存储器具有高密度、低功耗和低价格的优点，已经成为了计算机、移动通信终端中普遍采用存储装置。

灵敏放大器用来检测半导体存储器中存储单元的信息。由于灵敏放大器的读取速度决定了存储器的访问速度，所以通常希望其设计的越快越好。

专利号为200610011812.1的中国专利提出了适用于低电源电压下快闪存储器中读取操作的灵敏放大器电路，其通过双相位预充电路产生两条预充路径对位线进行预充，使得该电路具有更快的预充速度。另外还通过一个正反馈的自调节负载将位线电流转换为电压，通过两级稳压电路对位线电压进行箝位，使该灵敏放大器电路能够降低电源电压缩小的限制，并提高了系统的噪声免疫能力。

由于灵敏放大器的反馈系统增益很大，因此，通常灵敏放大器对电源和地的噪声都很敏感。

图1为传统技术中的一种灵敏放大器的输出电路。倒相器1用来检测I_REF和I_CELL的比较结果；锁存器2的SO_LAT信号是用来锁存倒相器1的输出结果，当其为低相位的时候，数据可以传进来，而当其为高相位的时候，则将数据锁存住；输出控制器3的OE信号则用来控制数据是否应该被送出。

图2为图1中倒相器的传输曲线示意图。其中，横坐标表示输入电压(input)，纵坐标表示输出电压(output)。通常，为了得到很高的读取速度，灵敏放大器输出电路中倒相器1输入/输出曲线非常陡(即斜率较大，参见图2)，相应地，高电平和低电平的噪声容限(即MG0和MG1)就很小。电源噪声(VDD noise)和地噪声(GND noise)能够很容易地吃掉这些噪声容限(即超过所述噪声容限的范围)，从而造成存储器功能错误。

然而问题在于，如果采取降低传输曲线的斜率以避免上述功能错误的方法，则会损失灵敏放大器的读取速度。

可见，由于传统技术中存在的以上问题，在灵敏放大器电路设计时不仅需要避免电源噪声和地噪声超出噪声容限的影响，而且也不能够以损失读取速度为代价。

发明内容

本发明解决的目的是提供一种灵敏放大器装置及其输出控制方法，既能够避免电源噪声和地噪声超出噪声容限又可以兼顾提高灵敏放大器的速度。

为此本发明提供一种灵敏放大器装置，包括：第一倒相器和第二倒相器；其中，

所述第一倒相器连接灵敏放大器的输出端，

所述第二倒相器的输入端连接第一倒相器的输出端，而第二倒相器的输出端连接第一倒相器的输入端。

所述的灵敏放大器装置，还包括：锁存模块，其中，所述锁存模块连接第一倒相器的输出端，用于锁存或传输第一倒相器的输出数据。

所述锁存模块在SO_LAT信号的控制下，当所述SO_LAT信号为低相位的时候，第一倒相器的输出数据由锁存模块传进，而当所述SO_LAT信号为高相位时，则锁存模块将第一倒相器的输出数据锁存住。

所述第二倒相器受所述SO_LAT信号控制。

所述的灵敏放大器装置还包括：输出控制模块，其输入端连接所述锁存模块的输出端，用于控制数据是否应该被送出。

所述输出控制模块受OE信号控制。

相应的，还提供一种灵敏放大器装置的输出控制方法，所述灵敏放大器装置包括连接灵敏放大器的输出端的第一倒相器，上述控制方法包括：

将所述第一倒相器的输出信号反馈到其输入端，

第一倒相器的传输曲线分为至少两个阶段，即第一阶段和第二阶段；

其中，所述第一阶段为正常感应阶段，所述第二阶段的传输曲线的等效斜率小于正常感应阶段。

所述第二阶段的传输曲线为磁滞曲线。

所述将第一倒相器的输出信号反馈到其输入端由SO_LAT信号控制，当所述SO_LAT信号为低相位时，第一倒相器的传输曲线由第一阶段转为第二阶段，传输曲线打开为磁滞曲线。

所述的灵敏放大器装置的输出控制方法，还包括以下步骤：锁存或传输第一倒相器的输出数据。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：