[发明专利]一种BiFeO3薄膜电阻存储器结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910199163.6 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN101728484A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 陈心满;石旺舟;包定华;王涛 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 季申清
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 bifeo sub 薄膜 电阻 存储器 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种包含BiFeO3薄膜电阻存储器的集成电路,其特征在于,包含:

LaNiO3电极覆盖的Si衬底;

Pt/TiO2/SiO2/Si衬底;

于所述LaNiO3及Pt底电极上形成的BiFeO3薄膜以及在该BiFeO3薄膜表面上的多个表面电极,所述表面电极包括Pt、Au和Ag金属电极。

2.一种制备包含BiFeO3薄膜电阻存储器的集成电路的方法,其特征在于,该方法包括:

制备BiFeO3溶胶,即将Fe(NO3)3.5H2O与Bi(NO3)3.9H2O同溶剂乙二醇甲醚充分混合,并在60~80℃恒温搅拌0.5~1小时后,加入二乙醇胺,充分混合搅拌后自然冷却到室温,室温下搅拌2~4小时后过滤,得到BiFeO3溶液,经陈化后得到其溶胶;

制备BiFeO3薄膜,即将所述BiFeO3溶胶在LaNiO3覆盖的衬底上,该衬底是Si衬底、LaNiO3/Si衬底、LaNiO3/SiO2/Si衬底以及Pt/TiO2/SiO2/Si衬底中的一种,采用旋涂法制备BiFeO3薄膜,甩胶后的湿膜在热平板上进行预处理,经过多次甩胶-预处理-甩胶过程,得到BiFeO3薄膜;

所述BiFeO3薄膜经500℃~600℃下退火冷却到室温后在其表面镀所述的表面电极,形成所述BiFeO3薄膜电阻存储器。

3.如权利要求2所述制备包含BiFeO3薄膜电阻存储器的集成电路的方法,其特征在于,加入二乙醇胺调节溶液粘度及后续薄膜的微结构。

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