[发明专利]双镶嵌结构的形成方法、半导体结构

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供包括有金属布线层的半导体衬底；

在所述金属布线层上形成依次叠加的刻蚀阻挡层、层间介质层、保护层；

在所述保护层表面形成第一光刻胶图形；

以所述第一光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀所述保护层、部分所述层间介质层，形成沟槽；

去除所述第一光刻胶图形；

在所述沟槽内形成第一底部抗反射层；在保护层表面形成第二底部抗反射层；

在所述第二底部抗反射层表面形成隔离层；

在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形；

以所述第二光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀所述隔离层、第二底部抗反射层、第一底部抗反射层、层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述金属布线层，形成接触孔；

去除所述第二光刻胶图形、隔离层、第二底部抗反射层以及第一底部抗反射层。

2.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料为氮掺杂的碳化硅，其中Si元素质量百分比为50％至60％，C元素质量百分比为10％至20％，N元素质量百分比为25％至30％。

3.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为低介电常数材料。

4.如权利要求3所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料包括含碳二氧化硅材料或者黑钻石材料。

5.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述保护层材料为二氧化硅。

6.如权利要求5所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述保护层通过在层间介质层表面沉积正硅酸乙酯层，并低温氧化形成。

7.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层材料为低温氧化硅材料。

8.如权利要求7所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为等离子体辅助增强化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述第一底部抗反射层通过沉积填充形成，第二底部抗反射层通过旋涂工艺形成。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的金属布线层；

位于所述金属布线层上的刻蚀阻挡层；

位于所述阻挡层上的层间介质层；

位于所述层间介质层上的保护层；

沟槽，贯穿所述保护层并位于所述层间介质层内；

第一底部抗反射层，形成于所述沟槽内；

第二底部抗反射层，形成于保护层表面；

位于所述第二底部抗反射层上的隔离层。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料为氮掺杂的碳化硅，其中Si元素质量百分比为50％至60％，C元素质量百分比为10％至20％，N元素质量百分比为25％至30％。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述层间介质层的材料为低介电常数材料。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述层间介质层的材料包括含碳二氧化硅材料或者黑钻石材料。

14.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层材料为正硅酸乙酯通过低温氧化而形成的二氧化硅。

15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层材料选自低温氧化硅材料。