[发明专利]太赫兹波段偏振片及其制作方法无效
| 申请号: | 200910198202.0 | 申请日: | 2009-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN101702042A | 公开(公告)日: | 2010-05-05 |
| 发明(设计)人: | 栗芳芳;舒时伟;李栋;马国宏;戴晔;马洪良;郭青天 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
| 主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
| 代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 赫兹 波段 偏振 及其 制作方法 | ||
1.一种太赫兹波段偏振片,由基片(1)和基片上所镀的金属薄膜(2)组成,其特征在于在所述的金属薄膜(2)上有周期性金属刻槽,形成金属线条。
2.根据权利要求1所述的偏振片,其特征在于所述的基片(1)为太赫兹波透过率高的材料。
3.根据权利要求2所述的太赫兹波段偏振片,其特征在于所述的透过率高的材料为硅片或石英片。
4.根据权利要求1所述的偏振片,其特征在于所述的金属薄膜(2)的材料为:电导率高的金属材料。
5.根据权利要求4所述的太赫兹波段偏振片,其特征在于所述的电导率高的金属材料为Ag或Au或Al。
6.根据权利要求1所述的太赫兹波段偏振片,其特征在于所述的金属线条的周期a为30~60μm,金属线条的宽度b为15~40μm,且0.4<b/a<0.7。
7.根据权利要求1所述的太赫兹波段偏振片,其特征在于所述的金属薄膜(2)的厚度d范围应该在1.5~3L,L为所对应金属在太赫兹波段的趋附深度。
8.一种制作根据权利要求1所述的太赫兹波段偏振片的方法,其特征在于:利用物理或化学的方法在基片(1)上镀膜;利用激光对金属薄膜刻蚀,具体操作步骤如下:
[1]基片(1)材料选择和清洗;
[2]镀膜金属(2)材料选择;
[3]利用物理化学的方法镀膜;
[4]利用激光对金属薄膜(2)进行刻蚀;
[5]利用太赫兹时域光谱技术对所制作的太赫兹波段偏振片进行测量。
9.根据权利要求8所述的太赫兹波段偏振片的制作方法,其特征在于在基片(1)上镀膜的物理或化学的方法为:磁控溅射法或真空蒸发法或溶胶凝胶法。
10.根据权利要求8所述的太赫兹波段偏振片制作方法其特征在于,在利用激光对金属薄膜刻蚀时,激光的焦点是在离开金属表面50μm~300μm范围内调节,以便控制刻蚀的宽度,这样不至于激光损坏基片材料,同时又能较完整的去除金属薄膜,设置激光三维微加工系统的金属线条周期a为30~60μm,调整激光焦点到金属表距离控制刻蚀金属线条的宽度b为15~40μm,且0.4<b/a<0.7。
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