[发明专利]互连结构的形成方法无效
| 申请号： | 200910198115.5 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102054750A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;刘盛;杨瑞鹏;孔祥涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底表面形成介质层；
在所述介质层内形成暴露衬底的接触孔；
在所述接触孔侧壁、底部和介质层表面形成阻挡层；
在所述阻挡层表面形成填充接触孔的金属层；
对所述金属层进行3次以上的退火、冷却工艺；
对所述金属层进行化学机械抛光直至暴露出介质层。
2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，对所述金属层进行3次以上的退火、冷却工艺具体次数小于20次。
3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，对所述金属层进行3次以上的退火、冷却工艺中每次的具体工艺为：对所述金属层退火，退火温度为100度至400度，退火时间为10秒至50秒，退火完毕后将所述金属层冷却至室温，冷却时间为15秒至60秒。
4.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述形成暴露衬底的接触孔的工艺为等离子体刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为钽、氮化钽、钛或者氮化钛。
6.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层为单层结构或多层叠加结构。
7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述阻挡层表面形成填充接触孔的金属层步骤之前还包括：在所述阻挡层表面形成铜的籽晶层步骤。
8.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜。
9.如权利要求8所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述形成填充接触孔的金属层的工艺为电镀工艺。
10.如权利要求9所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述电镀工艺的具体参数为：电镀液选用CuSO4溶液，Cu2+浓度为30g/L至50g/L，并且在此溶液中加入浓度为40mg/L至60mg/L的含氯离子的无机添加剂，电镀的电流为4.5安培至45安培。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
