[发明专利]一种ESD保护装置

权利要求书

1.一种ESD保护装置，其特征在于，所述装置为位于P阱中的多指NMOS保护装置，所述装置包括：

矩阵式排列的多个增强型NMOS管；所述NMOS管的源极和栅极接地；每个所述NMOS管的寄生NPN管的基极通过基极电阻接地；

多指形金属层，所述金属层覆盖每一列所述NMOS管的漏极并与所述漏极相邻的两列栅极交叠，所述金属层连接PAD并与所述漏极连接；所述金属层与所述栅极交叠形成寄生电容；

当PAD上出现正的ESD脉冲时，所述寄生电容将栅极电压耦合到正电位，增大漏极到P阱的漏电流，提高寄生NPN管基极和发射极的压降，促进寄生NPN管的基极和发射极正偏，使所述寄生NPN管同时导通放电。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述NMOS管的栅极通过电阻接地。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，多个所述NMOS管栅极连接的电阻阻值相同。

4.一种ESD保护装置，其特征在于，所述装置为位于N阱中的多指PMOS保护装置，所述装置包括：

矩阵式排列的多个增强型PMOS管；所述PMOS管的源极和栅极接地；每个所述PMOS管的寄生PNP管的基极通过基极电阻接地；

多指形金属层，所述金属层覆盖每一列所述PMOS管的漏极并与所述漏极相邻的两列栅极交叠，所述金属层连接PAD并与所述漏极连接；所述金属层与所述栅极交叠形成寄生电容；

当PAD上出现负的ESD脉冲时，所述寄生电容将栅极电压耦合到负电位，增大漏极到N阱的漏电流，提高寄生PNP管基极和发射极的压降，促进寄生PNP管的基极和发射极正偏，使所述寄生PNP管同时导通放电。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述PMOS管的栅极通过电阻接地。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，多个所述PMOS管栅极连接的电阻阻值相同。