[发明专利]晶圆可接受测试的实时监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子测试方法，具体地说，涉及在半导体领域的晶圆可接受测试的实时监控方法。

背景技术

晶圆可接受测试(WAT：Wafer Acceptence Test)，是晶圆(wafer)经过复杂工艺制造，最后在晶圆上形成一格格的裸晶(die)以后、在封装之前进行的一种电性测试，比如晶圆上的每一块芯片的电流、电压或者漏电流等参数进行测试。进行WAT的测试系统通常由探针卡、晶圆固定装置、晶圆图像校准装置以及测试机台组成。

在传统测试的过程中，由于受到晶圆图像校准装置的校准偏差、或者探针卡上的探针与晶圆的接触不良、测试机台周围环境温度或者湿度变化等的影响，测试的结果和数据并不完全准确，每当一批次的晶圆进行测试完毕后，需要对测试的数据进行分析，并调整测试系统，从而防止不良的芯片流入下一制造流程。

由于在进行测试的过程中，晶圆上的芯片用以与探针卡上的探针接触的探点比较小而且排列紧密，在晶圆图像校准装置对晶圆进行图像校准时容易发生校准偏差，以至于探针难以正确地接触到对应芯片上的探点上，探针容易刮伤芯片或者晶圆，如果不及时发现，将导致整批芯片或者晶圆报废。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆可接受测试的实时监控方法，提前探测到探针刮伤的芯片或者晶圆。

为解决以上技术问题，本发明提供的一种晶圆可接受测试的实时监控方法，将晶圆划分为若干点，每个点有若干测试参数进行测试，其中部分参数为关键参数，包括步骤：

设定晶圆可接受测试的类型和判断标准；

进行晶圆可接受测试；

对晶圆可接受测试得到的测试数据进行收集和整理；

根据所述类型和判断标准进行判断，对所述测试数据进行监控，如果判断合格，则继续测试，否则，暂停测试，转入人工处理。

进一步的，所述类型包括：

类型A：设定任一点的关键参数不符合规格的数量；

类型B：设定晶圆里任一关键参数不符合规格的点的数量；

类型C：设定晶圆里任一关键参数不符合规格的点的比率；

类型D：设定晶圆里所有关键参数不符合规格的点的比率。

进一步的，所述人工处理包括：

退出测试程序，停机检查；

关掉监控，继续测试；

保持监控，继续测试。

与现有技术相比，本发明提出的晶圆可接受测试的实时监控方法，随时对每一块晶圆上的芯片进行实时监控，从而可以及时发现探针卡的探针是否对准对应芯片上的探点上，提前探测到探针刮伤的芯片或者晶圆，从而避免后续整批待测的芯片受到刮伤，减少损失。

附图说明

图1为本发明实施例的晶圆可接受测试的实时监控方法测试流程图。

具体实施方式

为使本发明的技术特征更明显易懂，下面结合附图与实施例，对本发明做进一步的描述。

本发明实施例的晶圆可接受测试的实时监控方法，将晶圆划分为若干点(site)，所述的点即为一个光罩版图所能曝光的大小，根据产品的种类，每个点有若干测试参数进行测试，其中部分参数为关键参数，设定晶圆可接受测试的类型和判断标准；然后进行晶圆可接受测试；再对晶圆可接受测试得到的测试数据进行收集和整理；根据所述类型和判断标准进行判断，对所述测试数据进行监控，如果判断合格，则继续测试，否则，暂停测试，转入人工处理。

本实施例中所述的参数，对于不同的产品，有不同的参数定义，对每种产品，都有一份对应的规格文件，此文件中定义了每个参数的规格，也定义了每个参数是关键参数还是非关键参数。

请参阅图1，图1为本发明实施例的晶圆可接受测试的实时监控方法测试流程图。

步骤S1：设定WAT测试的判断类型和标准。

下面以测试一片晶圆为例来进行说明，设定晶圆测试5个点，每个点测试的参数有150个，其中有100个参数是关键参数。

本实施例中，所述晶圆可接受测试的类型包括四种：

类型A：设定任一点的关键参数不符合规格的数量，如果不符合规格的关键参数的数量大于设定的数量，则判断该点不符合规格，比如设定为：TPA，0.9。所述的的TAP即为Type，其含义为：如果这100个关键参数里有超过90个参数不符合规格，则表明该点不符合规格。

类型B：设定一片晶圆里任一关键参数不符合规格的点的数量，如果一片晶圆里某个关键参数不符合规格的点超过设定的数量，则判断该晶圆不符合规格。比如设定TPB，3。其含义为：如果某个关键参数不符合规格的点的数量超过3个，则表明该晶圆不符合规格。