[发明专利]彩色滤光片形成于薄膜晶体管阵列基板上的制造方法

权利要求书

1.一种彩色滤光片形成于薄膜晶体管阵列基板上的制造方法，所述薄膜晶体管阵列基板具有若干个画素单元且每一画素单元由至少一第一画素区及一第二画素区组成，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：

形成第一图案化色阻层于所述薄膜晶体管阵列基板上，其中所述第一图案化色阻层覆盖所述第一画素区并形成所述第二画素区的容纳区；以及

以喷墨方式将第二色阻层喷涂于所述第二画素区的容纳区中。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层于所述第一画素区及第二画素区内之部分区域形成挡墙。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层更形成于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线上。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：于喷涂第二色阻层的步骤中，更将所述第二色阻层喷涂于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线上。

5.如权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于：于喷涂第二色阻层的步骤中，是以条状喷墨打印方式喷涂所述第二色阻层。

6.如权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，更包含步骤：形成遮光层设置于所述第一图案化色阻层和所述第二色阻层的交界处。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述遮光层形成于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线上。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层更形成于所述薄膜晶体管阵列基板的扫描线上。

9.如权利要求1或8所述的制造方法，其特征在于：于喷涂第二色阻层的步骤中，更将所述第二色阻层喷涂于所述薄膜晶体管阵列基板的扫描线上。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：于喷涂第二色阻层的步骤中，是以条状喷墨打印方式喷涂所述第二色阻层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层更同时形成于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线和扫描线上。

12.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层于所述第一画素区及第二画素区内之部分区域形成的挡墙暴露出所述薄膜晶体管阵列基板上的薄膜晶体管或电容区。

13.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层于所述第一画素区及第二画素区内之部分区域形成的挡墙围绕成环状或方形区域。

14.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包含步骤：

形成一保护层于所述第一图案化色阻层及所述第二色阻层上；以及

形成一透明导电层于所述保护层上。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层更形成于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线上，形成于所述资料线上的第一图案化色阻层其厚度介于3.2～5.0微米之间。

16.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述第一图案化色阻层更形成于所述薄膜晶体管阵列基板的资料线上，形成于所述资料线上的第一图案化色阻层与所述第二色阻层的厚度比介于1.067至1.67之间。

17.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板上具有一基于金属层-绝缘层-铟锡氧化物层结构的电容区。

18.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板上具有一基于金属层-绝缘层-金属层结构的电容区。

19.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于：所述基于金属层-绝缘层-铟锡氧化物层结构的电容区形成于所述薄膜晶体管阵列基板的扫描线上。

20.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于：所述基于金属层-绝缘层-铟锡氧化物层结构的电容区形成于所述薄膜晶体管阵列基板的共同电极线上。

21.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于：所述基于金属层-绝缘层-金属层结构的电容区形成于所述薄膜晶体管阵列基板的扫描线上。