[发明专利]多晶硅浮置栅极及其制造方法

权利要求书

1.一种制造一浮置栅极存储单元时，利用一沉积程序而形成一多晶硅浮置栅极的方法，包括以下步骤：

选择一反应气体，和选择一第二气体，并应用于该沉积程序期间以形成该浮置栅极，该反应气体为SiX，该第二气体为Y；

令X至少包括H₄，H₂Cl₂，HCl₃，D₄，D₂Cl₂，D₃Cl其中之一，Y至少包括D₂，H₂，D₃其中之一，以实施该选择步骤；及

利用该反应气体和该第二气体，形成一具微晶粒结构的多晶硅浮置栅极。

2.如权利要求1所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，该形成步骤包括：

沉积一无晶形硅以作为该浮置栅极；和

对该无晶形硅进行处理，以形成一所需的微晶粒结构。

3.如权利要求2所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，经处理步骤后的该微晶粒的多晶硅浮置栅极，具有一粒径尺寸范围为200～之间。

4.如权利要求1所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，经形成步骤后的该微晶粒的多晶硅浮置栅极，具有一粒径尺寸范围为50～之间。

5.如权利要求1所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，X和Y至少有一者包含氘。

6.一种如权利要求1所述的方法所制的浮置栅极存储单元。

7.一种制造一浮置栅极存储单元时，利用一沉积程序而形成一多晶硅浮置栅极的方法，包括以下步骤：

选择一反应气体，和选择一第二气体，并应用于该沉积程序期间以形成该浮置栅极，该反应气体为Si₂X，该第二气体为Y；

令X至少包括H₆，H₄Cl₂，H₂Cl₄，D₆，D₄Cl₂，D₂Cl₄其中之一，Y至少包括D₂，H₂，D₃其中之一，以实施该选择步骤；及

利用该反应气体和该第二气体，形成一具微晶粒结构的多晶硅浮置栅极。

8.如权利要求7所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，该形成步骤包括：

沉积一无晶形硅以作为该浮置栅极；和

对该无晶形硅进行处理，以形成一所需的微晶粒结构。

9.如权利要求8所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，经处理步骤后的该微晶粒的多晶硅浮置栅极，具有一粒径尺寸范围为200～之间。

10.如权利要求7所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，经形成步骤后的该微晶粒的多晶硅浮置栅极，具有一粒径尺寸范围为50～之间。

11.如权利要求7所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，X和Y至少有一者包含氘。

12.一种如权利要求7所述的方法所制的浮置栅极存储单元。

13.一种制造一浮置栅极存储单元时，利用一沉积程序而形成一多晶硅浮置栅极的方法，其中，该浮置栅极存储单元包括一基板，该基板有一漏极和一源极且以一通道隔绝；一浮置栅极，位于该通道上方并以一第一绝缘层隔离；和一控制栅极，位于该浮置栅极上方并以一第二绝缘层隔离，该方法包括以下步骤：

选定一沉积环境，包括：

选择一反应气体；

选择一反应气体流量；

选择一沉积压力；及

选择一沉积时间；

形成一具微晶粒结构的多晶硅浮置栅极；及

于第一绝缘层上方，形成至少部分为一微晶粒结构的该浮置栅极，且具有一粒径尺寸范围在50～之间。

14.如权利要求13所述的形成多晶硅浮置栅极的方法，其中，该粒径尺寸范围在50～之间。