[发明专利]闪存控制装置无效
申请号: | 200910162001.5 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101989181A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 林火元;陈振顺;廖哲贤;洪如怡 | 申请(专利权)人: | 技嘉科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 11265 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制 装置 | ||
技术领域
本发明有关一种控制装置,特别是有关一种闪存控制装置。
背景技术
传统的闪存(flash memory)控制装置,一个控制器仅能连接或控制一个闪存装置(例如USB随身碟),如图1所示,第一控制器100与第二控制器101分别连接第一闪存装置120与第二闪存装置121。当使用者需要更大闪存的容量,仅能置换更高容量的闪存装置,甚至可能需要替换新的控制器以搭配高容量的闪存装置。在此情况下,新旧闪存装置或是控制器无法同时使用,不啻是一种资源浪费。
因此,有必要提供可以连接多个闪存装置的闪存控制装置。
发明内容
本发明提供一种闪存控制装置。一种闪存控制装置,包含:一控制器以及一扩充器。扩充器电连接控制器以及一个以上闪存装置,用来暂存数据、整合数据以及呈现处理状态,其中控制器根据处理状态命令扩充器传送资料至一个以上闪存装置或从一个以上闪存装置接收数据。
以上所述的闪存控制装置是利用一闪存扩充器,使得控制器可以同时控制多组闪存装置,达到扩充闪存容量的功能。
附图说明
图1是标示传统的闪存控制装置的架构图。
图2是标示本发明实施例的闪存控制装置的架构图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
图2是标示本发明实施例的闪存控制装置的架构图。闪存控制装置200包括控制器210、以及扩充器220。
闪存控制装置200的控制器210可能是微处理器或是芯片,例如CPU等。控制器210具有一个输出接脚,例如NVRAM pin,是作为控制闪存装置230、231等用途。扩充器220作为控制器210与闪存装置230、231等的桥接接口,可作为暂存数据、整合数据以及呈现数据状态的功能,使得控制器210得以同时控制数个闪存装置230、231等。在本实施例中,扩充器220包含一快取(Cache(未显示)),因此控制器210可以藉由快取高速且暂时地存取所需要的数据。扩充器220亦可能对扩充器220中的数据作处理,例如分配或重整。另外,扩充器220亦具有呈现控制状态的功能,例如藉由发出状态信号,如数据状态或是处理状态的信号等,使得控制器210或是闪存装置230、231等了解扩充器220是否处在忙碌或闲置的情况。当扩充器220在闲置状态时,其接收或传输数据的速度达到最高频宽300MB/s。另外,当扩充器220外接两个以上闪存装置时,可以执行RAID 0、RAID 1以及RAID10的功能,对传送与接收的效率,相较单独的数个闪存装置呈现较快的速度。或是在足够容量扩充情形下,执行较复杂化的储存设定,例如系统的数据备份。
最后,熟此技艺者可体认到他们可以轻易地使用揭露的观念以及特定实施例为基础而变更及设计可以实施同样目的的其它结构且不脱离本发明以及权利要求范围。
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