[发明专利]NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法无效
| 申请号: | 200910153351.5 | 申请日: | 2009-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN101714451A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
| 发明(设计)人: | 蔡培阳;冯尚申;薛双喜;周英;陈卫平 | 申请(专利权)人: | 台州学院 |
| 主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/047;H01F1/08;B22F3/02 |
| 代理公司: | 台州市南方商标专利事务所 33225 | 代理人: | 白炎 |
| 地址: | 318000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | nimngasi 合金 粘结 磁体 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法,特别是一种 NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。
背景技术
NiMnGa系铁磁性形状记忆合金,是近几年来发现的一种新型智 能材料,它具有强铁磁性、大磁致应变以及温控和磁控形状记忆效应 等特性,有望成为新一代驱动与传感材料,应用前景十分广阔。利用 磁场改变马氏体变体的取向,可以产生大的磁致应变,如S.J.Murray 等于2000年得到6%的磁致应变,A.Sozinoy等于2002年得到9.5% 的磁致应变。但这些大的磁致应变,一般都发生在NiMnGa单晶中。 由于单晶制备工艺复杂、制备成本高、材料脆性大、生产效率低,很 难大规模推广应用。
为此,人们把目光转向铸态多晶NiMnGa材料。由于一般的铸态 多晶NiMnGa材料磁致应变较小,难加工成各种复杂形状,高频涡流 损耗高,无法应用。人们在实践中发现,通过定向凝固、快淬、非化 学计量和掺杂等方法,能有效地提高多晶NiMnGa材料的磁致应变性 能和机械性能,并改变相变温度;另外,可以先采用研磨方法制取多 晶NiMnGa粉末,再加适量的粘结剂模压定型,能较有效地克服多晶 NiMnGa材料难以加工成各种复杂形状及在高频电磁场作用下易发 热等问题。但传统研磨由于外应力的引入,会使多晶NiMnGa材料的 磁致应变性能和其它性能指标下降,不利于该材料的应用。
发明内容
本发明的目的是为解决铸态多晶NiMnGa材料脆性大、难加工成 各种复杂形状、高频涡流损耗高等问题,又为解决传统的NiMnGa 粉末粘结方法(是将铸锭研磨成一定粒度的粉末,再加适量的粘结剂 模压定型而成)由于铸锭研磨的外应力而使NiMnGa材料磁致应变性 能和其它性能指标下降等问题,发明一种采用还原扩散方法制备 NiMnGaSi合金粉末,再将其粘结成一体的NiMnGaSi合金粘结磁体 及其制备方法。
本发明的目的是按如下的方式来实现。
所述NiMnGaSi合金粘结磁体由Ni、Mn、Ga、Si四种元素组成。
所述NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法为:
选用Ni2O3粉末、Ga2O3粉末、Mn粉、Ca粉、SiO2乳胶液;以 制备1000克NiMnGaSi合金粘结磁体为计量的起点,则
Ni2O3的用量为 680-720克
Ga2O3的用量为 320-360克
Mn的用量为 240-316克
Ca的用量为 865-1005克
SiO2的用量为 3.8-6.5克
所选的原料Ni2O3、Mn、Ga2O3粉未的纯度在99.9%以上,颗粒 尺度为微米数量级;SiO2乳胶液的纯度为70%,颗粒尺度为纳米数量 级;Ca粉的纯度在99.9%以上,颗粒尺度为1毫米及以下。
所选的原料Ni2O3粉、Mn粉、Ga2O3粉、Ca粉在真空球球磨机 上进行均匀混料,再将以上混料与SiO2乳胶液进行均匀混合,最后 将混合料在压料机下用10Mpa左右压力成型,成型的原料送入真空 管式炉,通过还原反应和扩散反应后,将反应物经去离子水溶液并多 次加热浸渍、清洗、分离,分离的合金粉末经真空干燥,得到NiMnGaSi 合金粉末。
以上操作要求在真空手套箱内进行,并在高纯氩气保护下完成。
再将NiMnGaSi合金粉末粘结成一体,即得到NiMnGaSi合金粘 结磁体。
所述还原反应为:
Ni2O3+3Ca=2Ni+3CaO
Ga2O3+3Ca=2Ga+3CaO
SiO2+2Ca=Si+2CaO
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