[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200910150287.5 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101742389A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 吴汀淏;郑创仁;李久康;蔡尚颖;彭荣辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;B81B7/02;H01L27/02;H04R31/00;B81C1/00;H01L21/70
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路结构,其特征在于其包含:

一电容,该电容包含:

一第一电容板,由多晶硅所形成,其中该第一电容板包含一设定为 回应于一声波而振动的一第一部分;及

一第二电容板,包含一第一开口,该第一开口贯穿该第二电容板, 其中该第一电容板位于该第一开口内,该第二电容板围绕该第一电容板的 该第一部分,且该第二电容板不接触该第一电容板,该第二电容板的该第 一开口具有倾斜侧壁,其中该倾斜侧壁的上面部分距该第一开口中心轴的 距离小于该倾斜侧壁的下面部分距该第一开口中心轴的距离。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于其不包含任何平 行于且直接位于该第一电容板之上或之下的导电板,且其中该导电板是连 接至一电极。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构,其特征在于其还包含一基板, 平行于且位于该第二电容板之下,其中该基板包含一第二开口,实质上垂 直对位于该第一电容板。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于其中该第一开口 在接近该基板的一侧具有一较大尺寸,且于远离该基板的一侧具有一较小 尺寸。

5.根据权利要求3所述的集成电路结构,其特征在于其还包含一介电 层,间隔该第二电容板与该基板,其中该介电层邻接该第二电容板及该基 板。

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