[发明专利]堆叠装载锁定室及包含其的衬底处理设备无效
申请号: | 200910149641.2 | 申请日: | 2009-06-17 |
公开(公告)号: | CN101620988A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 浅沼博文;中泽俊和 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张 涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 装载 锁定 包含 衬底 处理 设备 | ||
技术领域
[0001]本发明涉及一种堆叠装载锁定室以及包含该堆叠装载锁定室的衬底处理设备。
背景技术
[0002]日本专利特开Nos.11-330199和2001-44258公开了各自都包含装载锁定室的处理设备,在该装载锁定室中两个室沿竖直方向堆叠。
[0003]日本专利特开No.11-330199的图1公开了一种真空处理设备,在该真空处理设备中处理室、转移室和装载锁定室按此顺序成一直线布置。这种装载锁定室是其中加热室和冷却室竖直地堆叠的两级室。日本专利特开No.11-330199的图3公开了一种布置,在该布置中分开地布置用于加热室的闸阀和用于冷却室的闸阀。
[0004]日本专利特开No.2001-44258公开了一种衬底处理设备,在该衬底处理设备中每个都具有竖直多级的多个装载锁定室绕转移室布置,以便可以同时容纳多个靶衬底。而且,根据日本专利特开No.11-330199的图2至图4,竖直级的各装载锁定室都包括打开/封闭门204。
[0005]装载锁定室是一种将大气侧与真空侧隔离的室。当将衬底从大气侧装载到装载锁定室中以及从装载锁定室卸载到大气侧时,颗粒可能会从大气侧流到装载锁定室中。如果流到装载锁定室中的颗粒粘附到衬底,则在处理后的衬底中可能会出现由颗粒所导致的缺陷。
[0006]在装载锁定室设有闸阀和打开/封闭门的布置中,如果打开/封闭闸阀或打开/封闭门的驱动机构处在等于或高于装载锁定室的开口位置的位置,则会不方便。更具体地,当驱动机构操作时,驱动机构的滑动部分会产生颗粒。当这些颗粒落下时,它们会通过其开口流到装载锁定室中。
发明内容
[0007]本发明提供用于减少颗粒从大气侧流到装载锁定室中的风险的技术优点。
[0008]根据本发明的第一方面,提供一种堆叠装载锁定室,其包括:第一装载锁定室;堆叠在该第一装载锁定室上的第二装载锁定室;第一狭缝阀运动件,其构造成打开和封闭设置到第一装载锁定室的大气侧的第一开口;第二狭缝阀运动件,其构造成打开和封闭设置到第二装载锁定室的大气侧的第二开口;第一臂,其连接至第一狭缝阀运动件;第二臂,其连接至第二狭缝阀运动件;以及驱动器,其位于第一和第二装载锁定室下方,并构造成驱动第一和第二臂,以便通过第一和第二臂使第一和第二狭缝阀运动件运动。
[0009]根据本发明的第二方面,提供一种真空处理设备,其包括:柱形转移室,其包括多边形的底表面和多边形的上表面、以及连接至多个处理室的多个侧面;以及上述的堆叠装载锁定室,其连接至转移室的多个侧面中相邻的侧面。
[0010]本发明的其他特征将从以下参照附图的典型实施例说明而变得清楚。
附图说明
[0011]图1是示出根据一个实施例的衬底处理设备的布置的示意性透视平面图;
[0012]图2A是沿图1中的线A-B得到(从图1中的箭头X的方向看到)的装载锁定室的侧剖视图;
[0013]图2B是沿图1中的线A-B得到(从图1中的箭头X的方向看到)的装载锁定室的侧剖视图;
[0014]图2C是沿图1中的线A-B得到(从图1中的箭头X的方向看到)的装载锁定室的侧剖视图;
[0015]图3A是从图1中的箭头Y的方向看到的装载锁定室的示意性剖视图;
[0016]图3B是从图1中的箭头Y的方向看到的装载锁定室的示意性剖视图;
[0017]图4是从图1中的箭头Y的方向看到的装载锁定室的示意性剖视图;以及
[0018]图5A和5B是真空处理设备的示意性剖视图。
具体实施方式
[0019]以下将参照附图说明本发明的实施例。
[0020]首先,将参照图1和2说明根据一个实施例的集簇式衬底处理设备的布置。图1是示出根据该实施例的衬底处理设备的布置的示意性透视平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造