[发明专利]移位缓存器的时脉除能电路以及稳压结构无效
| 申请号： | 200910148930.0 | 申请日： | 2009-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101588173A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘匡祥;刘圣超 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185;G11C19/28;G09G3/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 移位 缓存 电路 以及 稳压 结构 | ||
1、一种移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：包括：
一第一晶体管，连接成一二极管结构；以及
一第二晶体管，连接成一二极管结构，其中所述第一晶体管以及所述第二 晶体管在相互反接后具有一第一端点以及一第二端点，所述第一端点耦接至一 信号源，所述第二端点耦接至一偏压源。
2、如权利要求1所述的移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：所述 第一晶体管以及所述第二晶体管是由非晶硅制程所制成。
3、如权利要求1所述的移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：更包 括一第三晶体管，所述第三晶体管的一闸极耦接至所述第二端点。
4、如权利要求3所述的移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：所述 第三晶体管是由非晶硅制程所制成。
5、如权利要求1所述的移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：所述 信号源提供一时脉信号。
6、一种移位缓存器的稳压结构，所述稳压结构具有至少一时脉除能电路， 其特征在于：所述时脉除能电路包括：
一第一晶体管，连接成一二极管结构；以及
一第二晶体管，连接成一二极管结构，其中所述第一晶体管以及所述第二 晶体管在相互反接后具有一第一端点以及一第二端点，所述第一端点耦接至一 信号源，所述第二端点耦接至一偏压源。
7、如权利要求6所述的移位缓存器的稳压结构，其特征在于：所述晶体 管是由非晶硅制程所制成。
8、如权利要求6所述的移位缓存器的稳压结构，其特征在于：更包括一 第三晶体管，所述第三晶体管的一闸极耦接至所述第二端点。
9、如权利要求8所述的移位缓存器的时脉除能电路，其特征在于：所述 第三晶体管是由非晶硅制程所制成。
10、如权利要求6所述的移位缓存器的稳压结构，其特征在于：所述信号 源提供一时脉信号。
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