[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910146486.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101615595A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 姜旻圭 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/71;H01L27/146;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：
在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘膜；
在所述层间绝缘膜上形成多个与所述光电二极管相对应的滤色器层；
在包括所述各个滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上方形成平坦化层；
在位于所述滤色器层的边界上方的所述平坦化层上形成一个以上的间隙绝缘膜；以及
在所述间隙绝缘膜之间的所述平坦化层上形成一个以上的微透镜，以与所述各个光电二极管相对应。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙绝缘膜的所述形成包括：
在所述平坦化层的整个表面上方形成氧化膜；以及
通过在所述氧化膜上实施感光和刻蚀工艺来图样化位于所述微透镜之间的间隙中的所述氧化层，以形成所述间隙绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙绝缘膜的宽度在10nm到20nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述层间绝缘膜上形成保护膜，
其中，在所述保护膜上形成所述滤色器层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙绝缘膜的宽度在允许的临界尺寸(CD)范围内具有最小值。
6.一种CMOS图像传感器，包括：
层间绝缘膜，形成在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上；
多个滤色器层，形成在所述层间绝缘膜上；
平坦化层，形成在包括所述各个滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上方；
一个以上的间隙绝缘膜，形成在位于所述滤色器层的边界上方的所述平坦化层上；以及
一个以上的微透镜，形成在所述间隙绝缘膜之间的所述平坦化层上以与所述各个光电二极管相对应。
7.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述间隙绝缘膜的宽度在10nm到20nm的范围内。
8.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述间隙绝缘膜由氧化膜形成。
9.根据权利要求6所述的传感器，进一步包括：
保护膜，形成在所述层间绝缘膜上，
其中，在所述保护膜上形成所述多个滤色器层。
10.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述间隙绝缘膜的宽度在允许的临界尺寸(CD)范围内具有最小值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910146486.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
