[发明专利]卤代聚合物的自由基聚合制备工艺和卤代聚合物有效
| 申请号: | 200910145956.X | 申请日: | 2003-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN101597353A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | P·拉克鲁瓦-德斯马泽斯;R·塞维拉克;B·布特文;V·博达特;V·库罗夫斯基 | 申请(专利权)人: | 索尔维公司 |
| 主分类号: | C08F214/08 | 分类号: | C08F214/08;C08F114/06;C08F214/22;C08F293/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段家荣;孙秀武 |
| 地址: | 比利时布鲁*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚合物 自由基 聚合 制备 工艺 | ||
1.一种偏二氯乙烯聚合物制备用自由基聚合工艺,该工艺采用
(A)一种或多种烯键不饱和单体,其中至少一种是偏二氯乙烯,
(B)分子碘,和
(C)选自重氮化合物、过氧化物和二烷基二苯基链烷烃的一种或多种自由基发生剂,
该工艺包含下列阶段
(1)将化合物(A)、(B)和(C)中每一种的至少一部分导入一个反应器中,然后
(2)使该反应器的内容物反应,同时向其中导入化合物(A)、(B)和(C)中每一种的任选余量,使该反应终止。
2.权利要求1的工艺,其特征在于(A)的至少50mol%由偏二氯乙烯组成。
3.权利要求1的工艺,其特征在于(A)的至少50mol%在阶段(1)导入反应器中。
4.权利要求1的工艺,其特征在于(A)由若干种烯键不饱和单体组成,构成(A)的烯键不饱和单体按照相同导入策略导入该反应器中。
5.权利要求1的工艺,其特征在于(A)由若干种烯键不饱和单体组成,构成(A)的烯键不饱和单体之一在阶段(1)导入反应器中,构成(A)的其余一种或多种烯键不饱和单体在阶段(2)导入反应器中,导入次数多达构成(A)的烯键不饱和单体数目减1,是一种接一种导入的,烯键不饱和单体在阶段(2)向反应器中每次新导入都是在前面导入该反应器中的一种或多种烯键不饱和单体已经各自反应到至少50mol%之后才进行的。
6.权利要求1的工艺,其特征在于(A)由若干种烯键不饱和单体组成,构成(A)的烯键不饱和单体之一在阶段(1)导入反应器中,构成(A)的其余一种或多种烯键不饱和单体的全部或一部分在阶段(2)逐渐导入反应器中。
7.权利要求1~6中任何一项的工艺,其特征在于,相对于(A)的摩尔数而言,(B)的摩尔数有至少2.5×10-5的数值。
8.权利要求1~6中任何一项的工艺,其特征在于(B)的至少50mol%在阶段(1)导入反应器中。
9.权利要求1~6中任何一项的工艺,其特征在于,相对于(B)的摩尔数而言,(C)的摩尔数有至少1的数值。
10.权利要求1~6中任何一项的工艺,其特征在于,还在阶段(1)和/或阶段(2)另外向反应器中导入以下成分:
(D)由选自过渡金属、镧系、锕系和IIIa族金属的O氧化态或严格正氧化态的金属和此金属的配体构成的一种或多种络合物。
11.权利要求1~6中任何一项的工艺,其特征在于,在阶段(1)和阶段(2),反应器内容物没有由选自过渡金属、镧系、锕系和IIIa族金属的O氧化态或严格正氧化态金属与这种金属的配体构成的络合物。
12.一种嵌段共聚物制备用自由基聚合工艺,其中至少一个嵌段是偏二氯乙烯聚合物嵌段,采用
(A′)一种或多种烯键不饱和单体,和
(B′)一种或多种偏二氯乙烯聚合物,选自
-用权利要求1~11中任何一项的工艺制备的聚合物和
-用嵌段共聚物制备用自由基聚合工艺制备的嵌段共聚物,至少一个嵌段是偏二氯乙烯聚合物嵌段,采用
(A′)一种或多种烯键不饱和单体,和
(B′)一种或多种偏二氯乙烯聚合物,选自
-用权利要求1~11中任何一项的工艺制备的聚合物,
该工艺包含下列阶段
(1′)将(A′)的至少一部分和(B′)的至少一个部分导入一个反应器中,然后
(2′)使该反应器的内容物反应,同时向其中导入(A′)的任选余量和(B′)的任选余量,该工艺包含下列阶段
(1′)将(A′)的至少一部分和(B′)的至少一个部分导入一个反应器中,然后
(2′)使该反应器的内容物反应,同时向其中导入(A′)的任选余量和(B′)的任选余量。
13.权利要求1~11中任何一项的工艺得到的偏二氯乙烯聚合物,其特征在于其数均分子量Mn大于1.0×104且Mz/Mw比值小于1.65。
14.嵌段共聚物,包含权利要求13所述偏二氯乙烯聚合物的至少一个嵌段。
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