[发明专利]发光系统有效
| 申请号: | 200910139562.3 | 申请日: | 2005-06-03 | 
| 公开(公告)号: | CN101599502A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 | 
| 发明(设计)人: | 濑尾哲史;荒井康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;李平英 | 
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 系统 | ||
本申请是以下申请的分案申请:申请日:2005年06月03 日;申请号:200510076018.0;发明名称:“发光系统”。
技术领域
本发明涉及使用发光元件的发光系统。
背景技术
发光元件是自发光元件并且试图用作发光系统。发光元件是 表面-发射体灯,而且通过使用用于发光的发光元件可以获得能发 出接近自然光的发光系统。
发光元件具有包含发光表面的层,发光表面通过应用到阳极 和阴极的电场发光(电致发光)。在包含发光物质的层中将从阳 极注射的空穴与从阴极注射的电子结合,从而获得发光。从包含 发光表面的层获得的发光包括从单线激发态返回基态时获得的发 光(荧光),和从三线激发态返回基态时获得的发光(磷光)。
在使用此类发光元件的发光设备中,在发光方向的电极必须 是透明的。但是,通常用作透明电极的透明导电膜常常具有相对 高的电阻率,这样在远离电源终端的部分会引起电压降。特别是 发光系统常常以相同的亮度从整个表面发光;因此,亮度的在平 面上的不均匀性会变得格外引人注意。
但是,当发光系统具有很大的面积时,亮度会在电流难于流 经的部分降低。换言之,在发光系统的发光区域中的亮度是不均 匀的。此外,与用作阴极的金属(如铝)相比,通常用作阳极的 ITO电极具有较高的电阻率。因此,在远离电源终端的部分造成电 压降,这会导致低亮度。为了解决该问题,参考文献1报道了一 种结构,其中至少一部分阳极装配有比阳极电阻率低的的辅助电 极(见参考文献1:日本专利公开No.2004-134282)。
在参考文献1中,在发光元件的长边或短边配备辅助电极。 但是,当发光系统具有很大面积时,在远离辅助电极的部分(例 如,在发光系统的中央部分)亮度会降低。然而,因为当辅助电 极完全地配备在参考文献1的结构中的阳极时从发光层发出的光 不能散发到外面,所以辅助电极只能部分配备。
因为发光系统常常从整个表面以相同的亮度发光,因此亮度 的不均匀性会变得格外引人注意。
发明内容
考虑到上述问题,本发明的一个目的是提供一种当发光系统 具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。
根据本发明的发光系统的一个特征,包含发光物质的层在第 一电极和第二电极之间形成,并形成第三电极以通过在第二电极 和包含发光物质的层上形成的开口连接第一电极。
换句话说,发光系统具有包含发光物质的层和在第一电极和 辅助电极之间的第二电极;辅助电极排列在第一电极的反面与第 二电极之间,并且第一电极通过第二电极和包含发光物质的层上 形成的开口与辅助电极电连接。注意第一电极和第二电极必须分 别与第二电极和辅助电极电绝缘。
更具体地,根据本发明的另一特征,具有第一开口的包含发 光物质的层和具有第二开口的第二电极排列在由透明导电膜形成 的第一电极上,以使第二开口与第一开口重叠;绝缘层形成于第 二电极上,覆盖第一开口、第二开口和第二开口的侧面,并提供 第三开口以暴露第一电极且第三电极形成于绝缘层上,以通过第 一到第三开口与第一电极接触。
根据本发明的另一特征,多个开口形成于发光系统的发光区 域。
在上述结构中,从包含发光物质的层发出的光从第一电极侧 发出。换句话说,第一电极传送光并且其由透明导电膜形成。具 体地,可以使用氧化锡铟(以下称作ITO)、含硅氧化锡铟、含 2%-20%氧化锌(ZnO)的氧化铟等。
注意优选使用低电阻率的材料作为辅助电极。可通过使用低 电阻率的材料来降低由于第一电极的相对高的电阻率导致的电压 降作用。
在上述结构中,包含发光物质的层可具有各自包括发光物质 的多个层的层叠结构。
此外在上述结构中,用于支撑发光系统的基底可以是柔性基 底。
在上述结构中,除了在辅助电极和第一电极的连接部分之外 没有光损失,因为辅助电极不是放置在光发出的方向。因此,可 以任意地调整辅助电极的材料、厚度或形成位置。
在辅助电极和第一个电极的连接部分的面积足够小时,辅助 电极的存在可以基本上忽略不计,即使当从光发射侧面观看时。 因此,多个开口可形成于发光系统的发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





