[发明专利]聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种聚合物和一种含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻(lithography)法的半导体微型制造的化学放大型抗蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。

在半导体微型制造中，适宜的是形成具有高分辨率和良好图案轮廓的图案，并且期望化学放大型抗蚀剂组合物产生这样的图案。

US 5968713A公开了一种含有树脂的化学放大型抗蚀剂组合物，所述树脂包含衍生自甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷酯的结构单元。

US 6239231B1公开了一种含有树脂的化学放大型抗蚀剂组合物，所述树脂包含衍生自甲基丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷酯的结构单元和衍生自丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷酯的结构单元。

US 2005/0100319A1公开了一种含有树脂的化学放大型抗蚀剂组合物，所述树脂包含衍生自甲基丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷酯的结构单元、衍生自丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷酯的结构单元以及衍生自5-丙烯酰氧基-2，6-降冰片烯内酯的结构单元。

WO 2007/046388A1公开了一种含有树脂的化学放大型抗蚀剂组合物，该树脂包括衍生自甲基丙烯酸-1-乙基-1-环己酯的结构单元、衍生自丙烯酸-3-叔丁氧基羰基氧基-1-金刚烷酯的结构单元和衍生自α-丙烯酰氧基-γ-丁内酯的结构单元。

发明内容

本发明提供一种化学放大型抗蚀剂组合物。

本发明涉及下列方面：

<1>一种聚合物，所述聚合物包含：

由式(Ia)或(Ib)表示的结构单元，

其中R¹表示氢原子或甲基，R²表示直链、支链或环状C1-C8烷基，R³表示甲基，n表示0至14的整数，Z¹表示单键或-[CH₂]_k-COO-，k表示1至4的整数，R⁴和R⁵各自独立地表示氢原子或可以具有至少一个杂原子的C1-C8一价烃基，或者R⁴和R⁵可以结合形成具有至少一个杂原子的C1-C8二价烃基，所述C1-C8二价烃基可以与R⁴和R⁵所键合的相邻碳原子一起形成环，或者R⁴和R⁵可以结合以在R⁴所键合的碳原子和R⁵所键合的碳原子之间形成碳-碳双键，并且m表示1至3的整数，

由式(II)表示的结构单元，

其中R⁶和R⁷各自独立地表示氢原子、甲基或羟基，R⁸表示甲基，R⁹表示氢原子或甲基，Z²表示单键或-[CH₂]_k’-COO-，k’表示1至4的整数，Z’表示能够通过酸的作用而消除的基团，以及

由式(III)表示的结构单元，

其中R¹⁰在每种情况下都独立地为羧基、氰基或C1-C4烃基，R¹¹表示氢原子或甲基，l’表示0至3的整数，Z³表示单键或-[CH₂]_k”-COO-，并且k”表示1至4的整数；

<2>根据<1>所述的聚合物，其中所述通过酸的作用而离去的基团为叔烷基氧基羰基；

<3>根据<1>或<2>所述的聚合物，其中所述聚合物还包含由式(IVf)表示的结构单元：

其中R¹²表示氢原子或甲基，R¹³和R¹⁴各自独立地表示氢原子、甲基或羟基，R¹⁵表示甲基，n”表示0至12的整数，Z⁴表示单键或-[CH₂]_q’-COO-基团，并且q’表示1至4的整数；

<4>根据<1>至<3>中任一项所述的聚合物，其中所述聚合物还包含由式(IVa)、(IVb)、(IVc)、(IVd)或(IVe)表示的结构单元：