[发明专利]芯片级尺寸封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910128574.6 申请日: 2009-03-16
公开(公告)号: CN101840866A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 沈启智;陈仁川;王维中 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/31;H01L23/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片级 尺寸 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构的制造方法,包括:

提供一基板,该基板具有一正面和一背面;

设置一芯片于该基板的该正面,且电性连接该芯片与该基板;

形成一导热胶(Thermal Conductive Paste)于该芯片的表面;

形成一封装胶体(Molding Compound)于该芯片的周围;和

应用一削磨工艺(Milling)于该封装胶体,使得削磨后该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。

2.如权利要求1所述的方法,其中该芯片以多条焊线电性连接至该基板。

3.如权利要求2所述的方法,其中设置该芯片后更包括:

形成一围栏状的绝缘胶(dam-like non-conductive paste)于该芯片上并覆盖该些焊线,且该围栏状的绝缘胶围出一容置区域于该芯片的表面。

4.如权利要求3所述的方法,其中该导热胶填充于该容置区域内,且该方法更包括固化该围栏状的绝缘胶与该导热胶的步骤。

5.如权利要求4所述的方法,更包括:

形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片、该些焊线、该绝缘胶与该导热胶;

于该基板的该背面处进行植球;和

对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体、部分该绝缘胶与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。

6.如权利要求5所述的方法,于该削磨工艺后,更包括:

设置一散热片于该导热胶上。

7.如权利要求1所述的方法,其中该芯片以覆晶方式电性连接至该基板。

8.如权利要求7所述的方法,其中形成该导热胶于该芯片的表面上之后,更包括固化该导热胶的步骤。

9.如权利要求8所述的方法,固化该导热胶的步骤后,更包括:

形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片与该导热胶;

形成数个锡球于该基板的该背面处;和

对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。

10.如权利要求7所述的方法,其中设置该芯片后,更包括:

先形成一围栏状的绝缘胶(dam-like non-conductive paste)于该芯片上,且该绝缘胶围出一容置区域于该芯片的表面;

填充该导热胶于该容置区域内;和

固化该围栏状的绝缘胶与该导热胶。

11.如权利要求10所述的方法,固化该绝缘胶与该导热胶的步骤后,更包括:

形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片、该绝缘胶与该导热胶;

形成数个锡球于该基板的该背面处;和

对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体、部分该绝缘胶与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。

12.如权利要求7所述的方法,在设置该芯片后,更包括:

于该芯片的背面形成一光阻层;

形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片和该光阻层;

对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以裸露出该光阻层;

去除该光阻层,以裸露出该芯片的背面;和

形成该导热胶于该芯片的背面处,且该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。

13.如权利要求7所述的方法,于该削磨工艺后,更包括:

设置一散热片于该导热胶上。

14.一种芯片级尺寸封装(CSP)结构,包括:

一基板,具有一正面和一背面;

一芯片,设置于该基板的该正面,且该芯片与该基板电性连接;

一导热胶(Thermal Conductive Paste),位于该芯片的表面处;和

一封装胶体(Molding Compound),位于该芯片的周围,且通过一削磨工艺(Milling)该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。

15.如权利要求14所述的结构,更包括多条焊线以电性连接该芯片与该该基板。

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