[发明专利]芯片级尺寸封装结构及其制造方法无效
| 申请号: | 200910128574.6 | 申请日: | 2009-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN101840866A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
| 发明(设计)人: | 沈启智;陈仁川;王维中 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/31;H01L23/34 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
| 地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片级 尺寸 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装结构的制造方法,包括:
提供一基板,该基板具有一正面和一背面;
设置一芯片于该基板的该正面,且电性连接该芯片与该基板;
形成一导热胶(Thermal Conductive Paste)于该芯片的表面;
形成一封装胶体(Molding Compound)于该芯片的周围;和
应用一削磨工艺(Milling)于该封装胶体,使得削磨后该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。
2.如权利要求1所述的方法,其中该芯片以多条焊线电性连接至该基板。
3.如权利要求2所述的方法,其中设置该芯片后更包括:
形成一围栏状的绝缘胶(dam-like non-conductive paste)于该芯片上并覆盖该些焊线,且该围栏状的绝缘胶围出一容置区域于该芯片的表面。
4.如权利要求3所述的方法,其中该导热胶填充于该容置区域内,且该方法更包括固化该围栏状的绝缘胶与该导热胶的步骤。
5.如权利要求4所述的方法,更包括:
形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片、该些焊线、该绝缘胶与该导热胶;
于该基板的该背面处进行植球;和
对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体、部分该绝缘胶与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。
6.如权利要求5所述的方法,于该削磨工艺后,更包括:
设置一散热片于该导热胶上。
7.如权利要求1所述的方法,其中该芯片以覆晶方式电性连接至该基板。
8.如权利要求7所述的方法,其中形成该导热胶于该芯片的表面上之后,更包括固化该导热胶的步骤。
9.如权利要求8所述的方法,固化该导热胶的步骤后,更包括:
形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片与该导热胶;
形成数个锡球于该基板的该背面处;和
对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。
10.如权利要求7所述的方法,其中设置该芯片后,更包括:
先形成一围栏状的绝缘胶(dam-like non-conductive paste)于该芯片上,且该绝缘胶围出一容置区域于该芯片的表面;
填充该导热胶于该容置区域内;和
固化该围栏状的绝缘胶与该导热胶。
11.如权利要求10所述的方法,固化该绝缘胶与该导热胶的步骤后,更包括:
形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片、该绝缘胶与该导热胶;
形成数个锡球于该基板的该背面处;和
对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以去除部分该封装胶体、部分该绝缘胶与部分该导热胶,使该封装胶体的高度与该导热胶的高度和该绝缘胶的高度齐平。
12.如权利要求7所述的方法,在设置该芯片后,更包括:
于该芯片的背面形成一光阻层;
形成该封装胶体于该基板的该正面上,且覆盖该芯片和该光阻层;
对该封装胶体进行该削磨工艺(Milling),以裸露出该光阻层;
去除该光阻层,以裸露出该芯片的背面;和
形成该导热胶于该芯片的背面处,且该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。
13.如权利要求7所述的方法,于该削磨工艺后,更包括:
设置一散热片于该导热胶上。
14.一种芯片级尺寸封装(CSP)结构,包括:
一基板,具有一正面和一背面;
一芯片,设置于该基板的该正面,且该芯片与该基板电性连接;
一导热胶(Thermal Conductive Paste),位于该芯片的表面处;和
一封装胶体(Molding Compound),位于该芯片的周围,且通过一削磨工艺(Milling)该封装胶体的高度与该导热胶的高度齐平。
15.如权利要求14所述的结构,更包括多条焊线以电性连接该芯片与该该基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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