[发明专利]静电吸盘

说明书

技术领域

本发明涉及静电吸盘。

背景技术

静电吸盘在半导体器件制造的各种工序中主要作为固定工件的载置台使 用。这里作为工件主要相当于晶片或调制盘。

静电吸盘除了固定晶片之外，还有以从晶片有效地去除伴随工序产生的 热，将晶片的温度维持在一定的目的来使用的情况。例如，为了提高晶片的冷 却效果，静电吸盘配置在冷却装置上。另外，以从吸附在静电吸盘上的晶片吸 取热量的目的为了向晶片的背面流入氦等背流气体，在静电吸盘上设有用于背 流气体流入的细孔(例如，参照日本特开2000-315680号公报)。但是要求根 据用途进一步提高晶片的冷却效果。

在将晶片载置于静电吸盘上用等离子蚀刻等进行处理的场合，存在起因于 等离体的不均匀性而使得蚀刻率在晶片面上不同的倾向。作为解决该问题的措 施，要求等离子体的高密度化。

然而，由于等离子体的高密度化带来氦的吸热增加，所以必须减小静电吸 盘的厚度，减小金属制的冷却装置和晶片载置面的距离，进一步提高冷却效率。 该场合，有在用于流入背流气体的细孔附近发生击穿的情况，若发生击穿，则 产生颗粒的发生和所处理的晶片的损伤、静电吸盘的破损等的问题明显化。

发明内容

本发明的目的是提供能防止随着等离子密度增高而产生电弧的静电吸盘。

本发明第一方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且 具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于：设有 以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式 延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大 的主沉孔部；在上述主沉孔部，埋入由设有与上述气体供给孔连通的气体流路 的绝缘部件所构成的防电弧部件；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路 而与上述气体供给孔连通的细孔。

本发明第二方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且 具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于：设有 以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式 延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大 的主沉孔部；将防电弧部件埋入上述主沉孔部，在上述防电弧部件的表面上设 有用包含气体流动方向的中心线的剖面图的周围定义的多个槽，以便在将上述 防电弧部件插入到上述主沉孔部时上述多个槽成为气体流路；在上述工件载置 面，设有通过上述气体流路而与上述气体供给孔连通的细孔。

本发明第三方式的静电吸盘，在具备冷却装置和配置在上述冷却装置上且 具有工件载置面的静电吸盘主体的半导体制造装置中使用，其特征在于：设有 以贯穿上述冷却装置且从上述冷却装置的一个主面到达另一主面表面的方式 延伸的气体供给孔，在上述气体供给孔的开口部设有直径比上述气体供给孔大 的主沉孔部；在上述静电吸盘主体侧主面上具备由在上述防电弧部件的径向中 心相交的两个槽所构成的十字状的副沉孔部，将防电弧部件埋入上述主沉孔 部，在上述防电弧部件的圆筒形状的侧面具有在上述十字状的副沉孔部的各个 槽的长度方向上直行的平面状的多个切口部，以便在将上述防电弧部件插入上 述主沉孔部时形成气体流路；在上述工件载置面，设有通过上述气体流路而与 上述气体供给孔连通的细孔。

本发明可提供能防止随着等离子密度增高而产生电弧的静电吸盘。

附图说明

图1(a)表示实施方式的静电吸盘的剖面，图1(b)表示从上方观察实 施方式的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界面的冷却装置侧的图， 图1(c)表示防电弧部件的立体图。

图2(a)表示实施方式的变形例1的静电吸盘的剖面，图2(b)表示从 上方观察实施方式的变形例1的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合 界面的冷却装置侧的图，图2(c)表示防电弧部件的立体图。

图3(a)表示实施方式的变形例2的静电吸盘的剖面，图3(b)表示从 上方观察实施方式的变形例2的静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合 界面的冷却装置侧的图，图3(c)表示防电弧部件的立体图。

图4(a)表示实施方式的变形例2的静电吸盘的剖面，图4(b)表示从 上方观察实施方式的变形例2静电吸盘的静电吸盘主体和冷却装置的接合界 面的冷却装置侧的图，图4(c)表示防电弧部件的立体图。