[发明专利]一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜，其特征是：该薄膜材料包括基片层、由金属氧化物组成的薄膜缓冲层、由金属银构成的薄膜导电层、由金属氧化物构成的透明导电薄膜保护层，且至下而上逐层排列。

2.根据权利要求1所述的金属银/金属氧化物的透明导电薄膜，其特征在于所述的薄膜导电层由金属银构成，银的纯度在99.99％以上，薄膜导电层的厚度为3-10纳米。

3.根据权利要求1所述的金属银/金属氧化物的透明导电薄膜，其特征在于所述的透明导电薄膜保护层是氧化锌、氧化钛、氧化铌、氧化铟、氧化铟锡或氧化锌铝，其厚度为20到50纳米。

4.根据权利要求1所述的金属银/金属氧化物的透明导电薄膜，其特征在于所述的薄膜缓冲层是氧化硅薄膜构成，其厚度为10到30纳米。

5.根据权利要求1所述的金属银/金属氧化物的透明导电薄膜，其特征在于所述的基片层材料是指氧化铝、光学玻璃、石英或透明塑料，基片尺寸最大可以到1.2×1.2m²。

6.一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜的制备方法，其特征是制备时以基层为基材，通过磁控溅射镀膜方法，分别在三个真空腔内，先将氧化硅沉积在基层的表面，制备出薄膜缓冲层，其厚度控制在10到30纳米之间；然后采用相同的镀膜方法，在缓冲层上制备银薄膜，银薄膜的厚度控制在3到10纳米；最后再用相同的镀膜方法，在银薄膜的上方沉积透明导电薄膜保护层，保护层厚度控制在20到50纳米。

7.根据权利要求6所述的金属银/金属氧化物的透明导电薄膜的制备方法，其特征是所述的三个真空腔之间，是利用传送带带动基片在真空腔内移动，在三个真空腔内分别依次沉积薄膜缓冲层、导电层和透明导电薄膜保护层。