[发明专利]监控退火机台温度的方法有效
| 申请号： | 200910109901.3 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054655A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 周祖源;孟昭生;李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 退火 机台 温度 方法 | ||
1.一种监控退火机台温度的方法，其特征在于包括下列步骤：
在晶圆片表面形成钴金属层，与钴金属保护层；
对所述晶圆片进行退火工艺，以形成钴硅化物层；
对所述晶圆片进行刻蚀工艺，移除未反应形成钴硅化物层的所述钴金属层后，测量所述钴硅化物层的电阻值；
根据电阻值与温度值的对应关系数据库，得出监控温度值，再根据该监控温度值监控退火机台温度。
2.根据权利要求1所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钴金属保护层覆盖于所述钴金属层，以防止所述钴金属层被氧化。
3.根据权利要求1或2所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钴金属保护层为钛层或氮化钛层或钛层和氮化钛层结合。
4.根据权利要求1所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钴金属层厚度为60～150
5.根据权利要求3所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钛层厚度为100
6.根据权利要求3所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述氮化钛层厚度为100～200
7.根据权利要求3所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钛层和氮化钛层结合为所述钛层覆盖于所述氮化钛层，所述氮化钛层覆盖于所述钛层。
8.根据权利要求1所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述监控温度值为550℃～610℃。
9.根据权利要求1所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述钴金属层采用化学气相沉积或物理气相沉积制得。
10.根据权利要求1所述的监控退火机台温度的方法，其特征在于：所述退火工艺采用500℃～900℃的退火温度进行快速退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
