[发明专利]孔刻蚀中预去除聚合物的方法有效
| 申请号： | 200910109657.0 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102064106A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;任小兵;薛浩;王吉伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 去除 聚合物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：包括以下步骤：
等离子体刻蚀；
加入氧、氩混合等离子体替换刻蚀等离子气体；
去胶工艺去除聚合物。
2.如权利要求1所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：所述的聚合物为八氟化四碳与二氧化硅反应生成的碳链聚合物。
3.如权利要求1所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀为干法等离子体刻蚀。
4.如权利要求1所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：所述的加入氧、氩混合等离子体的时间为5-15秒。
5.如权利要求4所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：加入的氧、氩混合等离子体中氧等离子体流量为10-30sccm，氩等离子体流量为100-200sccm。
6.如权利要求1所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：所述的后续去胶工艺为干法或者湿法去胶工艺。
7.如权利要求6所述的孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：所述的干法去胶工艺时间为60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
