[发明专利]静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于无线通信的微机电系统(MEMS)的静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感及制备方法，利用MEMS体硅和表面微机械加工技术相结合的方法制备静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感，属于微机电系统领域。

背景技术

近年来对阻抗匹配网络、LC震荡电路、滤波器和其它射频硅基技术应用的电感和电容有很多的研究，在这些研究中，期望获得高调谐性的射频无源元器件，比如可调电容和可调电感，使得射频电路设计师们将电路调整到最佳状态成为可能。电学可变电容(pn结变容二极管，MOS变容二极管)和微机电系统(MEMS)可调电容已经可以通过射频集成电路工艺获得，并且也有大量文献报道，但是目前对RF MEMS的可变电感的研究还是很少。虽然已有高品质因数和高调谐的有源电感的报道，然而这些电感的应用受到它们的高功耗、复杂度、高噪声和非线性这些不足之处的限制。MEMS技术制作的无源可调电感可以用来优化射频前端电路的性能，比如调整带通滤波器的中心频率、改变匹配网络的阻抗、压控振荡器(VCO)的震荡频率。利用微机械加工方法制作的离散式、连续式和线圈耦合式的可调电感已经有所报道。离散式可调电感一般通过集成开关或继电器来增加/减少电感线圈有效长度的方法实现，然而，微机械开关或继电器组合到电感当中会降低电感的品质因数。比如，Zekry等人在“Design andsimulation of digitally tunable high-Q on-chip inductor”(2007Internatonal Conference on microelectronics，ICM2007，Dec.2007，pp.239-242.)(中文题目：“数字可调高Q片上电感的设计和仿真”，国际会议：微电子国际会议ICM2007)中利用表面微加工制作的静电驱动微继电器，在标准CMOS衬底上制作了离散式数字可调的微电感，具有4.5匝线圈、4个继电器的微电感最大Q值达到15，电感量在2.29～3.73nH之间，电感可调范围约为38.6％。连续式可调电感通过螺线管电感内放置可变的磁芯导体或移动大范围内的可动结构来实现。比如，Marina等人在“Integrated tunable magnetic RF inductor”(IEEE Electron Device Letters，2004，25(12)：787-789.)(中文题目：“集成可调的磁性射频电感”，国际期刊：IEEE电子器件快报)中制作了连续可调集成射频电感，其结构是在螺线管电感的管芯中置入铁磁(Ferromagnetic，FM)芯(NiFe)薄膜，通过改变流过FM磁芯的电流来改变磁芯的有效磁导率，在1-150nH的电感量范围内，分别在0.1、1和2GHz时获得了85％、35％和20％的电感变化量，但是这些电感的品质因数(Q值)都小于2，而且直流功耗比较大。线圈耦合式可调电感也有少量报道，这种可调电感主要通过主线圈和次线圈的互感变化来调节电感量，但是电感量变化不是很大，也就是说调谐范围不大。比如，Fukushige等人在“Fabrication and evaluation of an on-chipmicro-variable inductor”(Microelectronic Engineering，2003，67-68：582.587.)(中文题目：“片上可调微型电感的制作和评估”，国际期刊：微电子工程)中利用MEMS工艺制作了一种线圈耦合式可调电感。电感结构采用螺旋型圆锥线圈，电感量为几nH，圆锥线圈的高度可以从零变化到几百微米，当圆锥线圈的高度变化时，线圈的互感量就会变化，从而总的电感量就会变化。圆锥型线圈的实现是利用了一种新型的MEMS材料，即薄膜金属化玻璃(thinfilm metallic glass，TFMG)。测量和模拟结果显示该电感可以在50MHz到16GHz频率范围，在2GHz时的电感量从3.64nH变化到3.75nH，可调范围为约3％。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感及制备方法。利用MEMS体硅和表面微机械加工技术相结合的方法来制备可调电感。

一种静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感，包括固定极板、刻蚀硅片V型槽、可动导体薄膜和平面螺旋电感线圈，其结构是固定极板位于刻蚀硅片V型槽内，可动导体薄膜位于硅片表面，并正对固定极板，而平面螺旋电感线圈位于可动导体薄膜的正上方。

一种静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感的制备方法，包含如下步骤：

(a)处理、清洗硅片1；