[发明专利]喷墨印刷制备TCO薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910080143.7 申请日: 2009-03-24
公开(公告)号: CN101580345A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 唐茜;孙劲鹏;雷志芳 申请(专利权)人: 新奥光伏能源有限公司
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23;B32B9/04;B32B17/06
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 李维真;王建国
地址: 065001河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 喷墨 印刷 制备 tco 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种喷墨印刷制备TCO薄膜的方法,其特征在于按如下步骤操作:

(1)以In、Sn、Zn金属基材料的可溶性化合物和掺杂元素的可溶性化合物为原料,将其溶解在水或有机溶剂中;

(2)加入能使化合物颗粒均匀分散的添加剂,配制成性能稳定的透明导电氧化物墨水;

(3)将墨水注入到墨盒中,采用喷墨印刷技术沉积到基片上;

(4)将沉积到基片的薄膜经热处理,反应形成TCO薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,原料为氯化物、硝酸盐、醋酸盐、金属醇盐或铵盐的纳米颗粒,将其分散在水或有机溶剂中。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,原料为InCl3·5H2O、SnCl4·5H2O、SnCl2·2H2O、SbCl3、ZnCl2、AlCl3、GaCl3;In(NO3)3·4.5H2O、Al(NO3)3;醋酸锌、醋酸铵、醋酸铝;锡醇、锌醇、锑醇、异丙醇铝、异丙醇镓;或NH4F。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,In基薄膜的掺杂元素为Sn;Sn基薄膜的掺杂元素为F、Sb、In、Zn、Al、Mn、Sr、Zr、Ge、Ce、Pt、Pd、Cd或Nd中的一种或多种;Zn基薄膜的掺杂元素为Al、Ga、In、B、N、P、As、Sb、F、Si、Ge、Sn、Y、Sc、Ti、Zr、Hf、Tb、Cd、Co、Rb、Li、Ni、Mn、Fe、Cr、Mg、Cu或Ce中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,水为去离子水,有机溶剂为醇类、乙酰丙酮或乙二醇甲醚中的一种或多种。

6.根据权利要求1~5所述的任意一种方法,其特征在于,金属基材料的化合物与掺杂元素的化合物的摩尔比为1∶0.001~1。

7.根据权利要求1~6所述的任意一种方法,其特征在于,原料与水或有机溶剂的重量比为1∶3~30。

8.根据权利要求1~7所述的任意一种方法,其特征在于,添加剂加入量为水或有机溶剂重量的0.01~5%,墨水的粘度为10~50mPa·s,表面张力为1.0×10-4N/m~4.0×10-4N/m。

9.根据权利要求1、8所述的方法,其特征在于,添加剂为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子型表面活性剂或两性离子表面活性剂。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,表面活性剂选自:硬脂酸盐、十二烷基苯磺酸钠或十二烷基硫酸钠;十六烷基三甲基溴化铵;十二烷基二乙醇胺、聚乙烯醇或脂肪酸甘油酯;卵磷脂、氨基酸或甜菜碱。

11.根据权利要求1~10所述的任意一种方法,其特征在于,采用本方法制备不同掺杂元素的以In2O3、SnO2、ZnO为基的多元素或多层透明导电膜。

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