[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200910078163.0 | 申请日: | 2009-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN101813859A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
| 发明(设计)人: | 王峥;黄应龙 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器件,包括彼此相对的薄膜晶体管阵列基板和彩膜玻璃基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括栅极扫描线、数据扫描线,该栅极扫描线和数据扫描线交叉界定出像素单元,并且像素单元中包括像素电极和开关薄膜晶体管,该开关薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连;
其特征在于,
所述薄膜晶体管阵列基板还包括:信号线,与所述数据扫描线相平行;
所述像素单元中还包括:光感应薄膜晶体管,源极和栅极均连接到界定出像素单元的其中一条栅极扫描线,并且漏极输出到所述信号线;
所述彩膜玻璃基板还包括表面具有反射层的辅助隔垫物,对应设置在该光感应薄膜晶体管的沟道正上方,并且与光感应薄膜晶体管之间预留有空隙。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,
所述像素单元中还包括:辅助开关薄膜晶体管,源极连接到所述光感应薄膜晶体管的漏极,漏极连接到所述信号线,栅极连接到界定出像素单元的另一条栅极扫描线;
所述薄膜晶体管阵列基板还包括:光感电压存储电极,与所述光感应薄膜晶体管的漏极形成存储电容。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器件,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括作为像素电压存储电极的公共电极线,该公共电极线同时作为所述光感电压存储电极。
4.根据权利要求1、2或3所述的液晶显示器件,其特征在于,所述辅助隔垫物表面的反射层的材料为反光的金属或金属合金。
5.一种制造液晶显示器件的方法,其特征在于,包括:
(1)在制作开关薄膜晶体管的同时,在栅极扫描线和数据扫描线交叉界定出的像素单元中形成光感应薄膜晶体管,并在液晶显示器件上形成与数据扫描线相平行的信号线;所述光感应薄膜晶体管的源极和栅极均连接到界定出像素单元的其中一条栅极扫描线,并且漏极输出到所述信号线;
(2)在彩膜玻璃基板上制备表面具有反射层的辅助隔垫物,该辅助隔垫物对应设置在该光感应薄膜晶体管的沟道正上方,并且与光感应薄膜晶体管之间预留有空隙。
6.根据权利要求5所述的制造液晶显示器件的方法,其特征在于,所述(1)还包括:在制作开关薄膜晶体管的同时形成辅助开关薄膜晶体管和光感电压存储电极;
其中,辅助开关薄膜晶体管的源极连接到所述光感应薄膜晶体管的漏极,漏极连接到所述信号线,栅极连接到界定出像素单元的另一条栅极扫描线;所述光感电压存储电极与光感应薄膜晶体管的漏极形成存储电容。
7.根据权利要求5所述的制造液晶显示器件的方法,其特征在于,所述(1)具体为:
(11)在基板上形成栅图案,该栅图案包括栅极扫描线、开关薄膜晶体管的栅极、以及光感应薄膜晶体管的栅极;并且开关薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连,光感应薄膜晶体管栅极连接到界定出像素单元的其中一条栅极扫描线;
(12)在具有栅图案的基板上沉积栅极绝缘薄膜;
(13)在栅极绝缘薄膜上形成与开关薄膜晶体管的栅极重叠的有源层、与光感应薄膜晶体管的栅极重叠的有源层;
(14)形成源/漏图案和数据扫描线、信号线,该源/漏图案包括:开关薄 膜晶体管的源极和漏极、光感应薄膜晶体管的源极和漏极;并且开关薄膜晶体管的源极与数据扫描线相连,光感应薄膜晶体管漏极输出到信号线;
(15) 在形成源/漏图案的基板上形成具有多个接触孔的钝化薄膜,这些接触孔分别露出开关薄膜晶体管的漏极、光感应薄膜晶体管的源极、以及界定出像素单元的其中一条栅极扫描线;
(16)形成连接部和像素电极,该连接部经所述接触孔将光感应薄膜晶体管的源极连接到界定出像素单元的其中一条栅极扫描线,所述像素电极经所述接触孔连接到开关薄膜晶体管的漏极。
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