[发明专利]一种扩散阻挡层薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法是由下述步骤实现的：一、将硅基片放入磁控溅射镀膜设备的真空腔中，然后利用等离子体对硅基片进行清洗；二、在氮气和氩气的气氛下，以钌和钛作为阴极采用磁控共溅射法对经步骤一处理的硅基片进行沉积600s，其中沉积过程中，靶阴极钌的溅射功率均为100W，靶阴极钛的溅射功率为100～220W，氩气的流量为10～25sccm，氮气的流量为5～20sccm，工作气压固定为10mTorr；三、以10℃/min升温速率升温至400～700℃，保温对经步骤二处理的硅基片进行退火60min，真空条件下冷却至室温；即得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述硅基片为单晶硅抛光片。

3.根据权利要求1或2所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述靶阴极钛的溅射功率为130～190W。

4.根据权利要求1或2所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述靶阴极钛的溅射功率为160W。

5.根据权利要求3所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述氩气的流量为15sccm。

6.根据权利要求3所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述氩气的流量为20sccm。

7.根据权利要求1、2、5或6所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中退火温度为500℃。

8.根据权利要求1、2、5或6所述的一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中退火温度为600℃。