[发明专利]由半导体材料和上转换材料组成的红光或红外光催化材料有效

专利信息
申请号: 200910067512.9 申请日: 2009-09-09
公开(公告)号: CN101642702A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 秦伟平;张代生;薛笑杰;赵丹;郑克志;王丽丽;姜涛 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: B01J23/10 分类号: B01J23/10;B01J21/06;B01J23/22;B01J27/135;B01J27/24;B01J27/138;B01J27/132;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130023吉林省*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 半导体材料 转换 材料 组成 红光 红外 光催化
【权利要求书】:

1.由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其特征在于:按质量百 分比计算,半导体材料为10%~90%,其余为上转换材料,上转换材料是稀土 离子掺杂的氟化物;半导体材料为TiO2、ZnO、WO3或SnO2中的一种;氟 化物为LaF3、YF3、NaYF4、LiYF4、KYF4或ZnaAlbPbcLidFe,其中a=0.1~0.3、 b=0.2~0.3、c=0.2~0.4、d=0.8~1、e=2~3.3,且2a+3b+2c+d=e;掺杂的稀 土离子为Tm3+和Yb3+

2.如权利要求1所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其 特征在于:掺杂的稀土离子占上转换材料的摩尔含量,Tm3+为0.1%~5%、 Yb3+为5%~20%。

3.如权利要求1所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其 特征在于:对半导体材料进行修饰或改性。

4.如权利要求3所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其 特征在于:利用元素掺杂的方法对半导体材料进行修饰或改性,涉及的元素 为N、C、S、Br、F、Fe、Cu或Ag中的一种或几种,在半导体材料中掺杂 元素的摩尔含量为0.1%~20%。

5.如权利要求3所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其 特征在于:利用贵金属沉积的方法对半导体材料进行修饰或改性,涉及的贵 金属为Au、Ag或Pt中的一种或几种,在半导体材料中贵金属的质量分数为 1%~70%。

6.如权利要求3所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化材料,其 特征在于:是在制备过程中通过超声辅助、加入乙酰丙酮、十二醇或癸胺模 板剂对半导体材料进行修饰或改性,使其具有介孔结构。

7.权利要求1~6任何一项所述的由半导体材料和上转换材料组成的红外光催化 材料用于红外光或太阳光的光催化反应。

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