[发明专利]二氧化钛薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910052448.7 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102173450A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;吕旭杰;吴建军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;H01G9/20;B01J21/06;B01J37/02 |
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| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
1.二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，配制稳定的钛前驱体溶液，通过旋涂或浸渍提拉法在衬底上制备二氧化钛湿膜，最后干燥热处理得到二氧化钛薄膜。
2.按权利要求1所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，钛前驱体溶液中加入掺杂离子溶液进行金属离子掺杂。
3.按权利要求1或2所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述的配制稳定的钛前驱体溶液包括钛前驱物、碱溶液和过氧化氢中，钛前驱物∶碱溶液∶过氧化氢为摩尔比(0.1～100)∶1∶(0.1～10)。
4.按权利要求3所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述的其中碱溶液包括氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氢氧化锂溶液、氢氧化铯溶液、氨水中任意一种或几种的混合溶液。
5.按权利要求3所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述的钛前驱物采用单质钛、二氧化钛、氢氧化钛，正钛酸、偏钛酸、硝酸钛、硫酸钛、钛黄、卤化钛、羧酸钛或钛醇盐。
6.按权利要求1或2所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述的衬底包括普通玻璃，石英玻璃，硅衬底，各种金属、陶瓷、有机衬底，以及FTO、ITO、AZO、ZnO:B、ZnO:Ga、ZnO:In、Cd2SnO4、Zn2SnO4、TiO2:Nb、SrTiO3:Nb、CuS、CuAlO2或CuAlS2透明导电玻璃。
7.按权利要求1或2所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述热处理的条件为150～1000℃热处理1～24小时。
8.按权利要求2所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，掺杂离子浓度范围在0.01～30％。
9.按权利要求2或8所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，掺杂离子包括Nb、Ta、Fe、Ni、Co或Mn。
10.按权利要求2或8所述的二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，掺杂离子溶液加入的金属盐包括可溶性硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐、草酸盐或卤化物。
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