[发明专利]全二进制权电容的分段电容阵列无效
| 申请号： | 200910049404.9 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101534115A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;戴庆元;乔高帅;谢芳;曹斌 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H01L23/522;H01L27/00;H03M1/12 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二进制 电容 分段 阵列 | ||
【权利要求书】：
1、一种全二进制权电容的分段电容阵列，包括：最高有效位电容阵列、最低有效位电容阵列、连接在最高有效位电容阵列和最低有效位电容阵列之间的多组分段电容阵列，以及各分段电容阵列之间的连接电容，其特征在于：所述连接电容完全由单位电容C0的全二进制权倍数组成，连接电容是由连接两段电容阵列中的下一段电容阵列中的所有二进制权电容串联，再将其串联电容进行两组并联构成。
2、根据权利要求1所述的全二进制权电容的分段电容阵列，其特征是，所述分段电容阵列在实现N位模数转换时，其数目任意选取，即1≤M-L≤2N，L≤i≤M，N表示自然数，M表示最高有效位电容阵列，L表示最低有效位电容阵列，连接在M电容阵列以及L电容阵列中间的任意电容阵列用符号i表示。
3、根据权利要求1所述的全二进制权电容的分段电容阵列，其特征是，所述各分段电容阵列中包含二进制权衡电容的个数任意选取，但需满足整个结构中所包含的二进制权电容总数目均在2N范围之内，N表示自然数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910049404.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种二硝基甲苯的制备方法
- 下一篇：一种超大容量非固体电解质钽电容器制作方法
