[发明专利]高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910045909.8 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101475373A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 李玉臣;姚烈;董显林;梁瑞虹 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/472 分类号: C04B35/472;C04B35/49;C04B35/491;C04B35/495;C04B35/14;C04B35/50;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高压电 应变 常数 sub 31 压电 电压 陶瓷材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其 制备方法,属陶瓷组成与制备领域。

背景技术

随着现代科学技术的发展,压电陶瓷的应用越来越深入,越来越广泛, 压电双晶片致动元件可应用于提花选针执行器,盲文电子显示器(触摸屏) 等,把两片极性相同的压电陶瓷薄片胶合在一起,电路上采用并联,如图1 (a)所示,或把两片极性相反的压电陶瓷薄片胶合在一起,电路上串联, 如图1(b)所示,在电场激励下,当某一时刻其中一片伸张时,另一片则 收缩,使压电陶瓷片产生弯曲振动,这就是弯曲振动压电陶瓷换能器的工作 原理。为改善换能器的机械性能和机电耦合,以及结构安装上的方便,常在 两陶瓷片之间胶合碳纤维或金属薄片,为便于支撑和进行电路连接,金属片 经常延伸到压电陶瓷片以外。

采用电路并联的方式设计压电陶瓷双晶片致动元件的结构时,端点位移 X=4d31VL2/t2,端点推力F=2Vwt/3Lg31;采用电路串联的方式设计压电陶瓷双晶 片致动元件的结构时,端点位移X=2d31VL2/t2,端点推力F=4Vwt/3Lg31,其中,V 代表电压,L代表端点到支撑点的长度,w代表压电陶瓷双晶片致动元件的宽度, t代表压电陶瓷双晶片致动元件的厚度(包括两片陶瓷晶片和中间金属的厚度)。 对同样规格的压电陶瓷双晶片,在加相同电压时,具有高压电应变常数d31、低 压电电压常数g31压电陶瓷材料的端点位移量和产生的端点推力都比较大。而目 前国内外,压电陶瓷材料的d31相对比较低,而g31又相对高,如表1所示,因 此制约了压电陶瓷双晶片致动元件的性能。本发明材料的压电应变常数d31高、 压电电压常数g31相对低,对同样规格的压电陶瓷双晶片,在加相同电压时,端 点位移量和产生的端点推力都比较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶 瓷材料,采用多种钙钛矿结构化合物的固熔体结构配方: xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.%SiO2+b wt.%La2O3+cwt.%Nb2O5+dwt.%Sb2O3,其中,x=0.2~0.5;y=0.2~0.5;z=0.1~0.4; m=0.0~0.10;n=0.0~0.10;p=0.0~0.10;a=0~0.5;b=0~0.5;c=0~0.5;d=0~0.5。通 过传统工艺的改进,获得了一种具有特殊性能的压电陶瓷材料。

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