[发明专利]高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910045909.8 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101475373A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 李玉臣;姚烈;董显林;梁瑞虹 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/472 分类号: C04B35/472;C04B35/49;C04B35/491;C04B35/495;C04B35/14;C04B35/50;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高压电 应变 常数 sub 31 压电 电压 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料,其组分式为:xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.%SiO2+bwt.%La2O3+cwt.%Nb2O5+dwt.%Sb2O3,其中,x=0.2~0.5;y=0.2~0.5;z=0.1~0.4;m=0.0~0.10;n=0.0~0.10;p=0.0~0.10;a=0~0.5;b=0~0.5;c=0~0.5;d=0~0.5。

2.高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料的制备方法,包括配料、混料、压块合成、粉碎细磨、造粒成型、排塑、通氧烧结,其特征在于:

(1)采用的配料组分式为:

xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.%SiO2+bwt.%La2O3+cwt.%Nb2O5+dwt.%Sb2O3,其中,x=0.2~0.5;y=0.2~0.5;z=0.1~0.4;m=0.0~0.10;n=0.0~0.10;p=0.0~0.10;a=0~0.5;b=0~0.5;c=0~0.5;d=0~0.5;

(2)混料采用去离子水和玛瑙球作为介质,按照原料∶玛瑙球∶去离子水=1∶0.8~1.5∶0.5~1.2的比例混合,经滚桶球磨混料6~10h;

(3)通氧烧结烧结条件为1260℃-1320℃/1-4h。

3.按权利要求2所述的制备方法,其特征在于,采用的原料是Pb3O4、ZrO2、TiO2、SrCO3、BaCO3、MgCO3或碱式MgCO3、Nb2O5、La2O3、Sb2O3、SiO2

4.按权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,压块合成压块压力在40MPa-100MPa,合成分两段,第一段合成:600℃-700℃/1-4h,第二段压块合成:700℃-900℃/1-4h。

5.按权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,粉碎细磨采用去离子水和玛瑙球作为介质,按照原料∶玛瑙球∶去离子水=1∶0.8~1.5∶0.5~1.2的比例混合,经滚桶球磨12~48h。

6.按权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,造粒成型压力为150MPa-200MPa。 

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