[发明专利]一种制造发光二极管结构的方法无效
| 申请号： | 200910041329.1 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101964380A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 余建平;陈太喜;张玉生 | 申请（专利权）人： | 余建平 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 发光二极管 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造发光二极管结构的方法，其特征在于所述制造发光二极管结构的方法包括下列步骤：
1)准备好已固化封装好的蓝光发光二极管芯片及相应的引线结构，蓝光发光二极管芯片与引线结构中的导线电连接且固定好；
2)在已固化封装好的蓝光发光二极管芯片上涂敷透明的环氧树脂，环氧树脂中不含有荧光粉，然后固化；
3)将黄色荧光粉和环氧树脂混合均匀，再将混合均匀的黄色荧光粉和环氧树脂涂在步骤2)中固化好的环氧树脂上进行二次固化；
4)用环氧树脂进行封装。
2.根据权利要求1所述的制造发光二极管结构的方法，其特征在于：所述步骤2)中涂敷的透明环氧树脂层厚度0.001-0.003mm。
3.根据权利要求1所述的制造发光二极管结构的方法，其特征在于：所述步骤2)中固化时间为30分钟，固化温度为130-150度。
4.根据权利要求1所述的制造发光二极管结构的方法，其特征在于：所述步骤3)中固化时间为30分钟，固化温度为130-150度。
5.根据权利要求1所述的制造发光二极管结构的方法，其特征在于：所述步骤1)中蓝光发光二极管芯片为蓝光双电极芯片。
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