[发明专利]一种包含凹陷部位电极的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包含：

一第一电极，包含一刻蚀的凹陷部位；

一第二电极；以及

一电阻变化材料填充该凹陷部位并耦接至该第二电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一电极包含一第一层及一第二层，该凹陷部位形成于该第一层内，并具有一深度等于该第一层的一厚度。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一层的热传导率小于该第二层的热传导率，以及

其中该第一层的电阻率大于该第二层的电阻率。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，更包含：

一介电材料层定义一孔洞，

其中该电阻变化材料填充于该孔洞中，以及

其中该凹陷部位具有一深度，该深度大于该孔洞的一临界尺寸的10％。

5.一种系统，其特征在于，包含：

一主机；以及

一存储装置耦接于该主机，该存储装置包含一凹陷部位孔洞相变化存储单元，包含：

一电极包含一刻蚀的凹陷部位；以及

一相变化材料沉积在该凹陷部位内。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，该电极包含一第一层及一第二层，该凹陷部位形成于该第一层内，并具有一深度等于该第一层的一厚度。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，该第一层的热传导率小于该第二层的热传导率，以及

其中该第一层的电阻率大于该第二层的电阻率。

8.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，该存储装置更包含：

一写入电路，组态为以写入一电阻状态至该凹陷部位孔洞相变化存储单元中；

一感测电路，组态为以读取该凹陷部位孔洞相变化存储单元中的一电阻状态；以及

一控制器，组态为以控制该写入电路及该感测电路。

9.一种存储器，其特征在于，包含：

一电极包含一刻蚀的凹陷部位；

一介电材料层包含一刻蚀的孔洞；以及

相变化材料在该凹陷及该孔洞内。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其特征在于，该电极包含一第一电极材料层及一第二电极材料层，该凹陷部位形成于该第一电极材料层内，并具有一深度等于该第一电极材料层的一高度。

11.根据权利要求9所述的存储单元，其特征在于，该孔洞具有一渐变细的侧壁。

12.根据权利要求9所述的存储单元，其特征在于，该凹陷部位具有弧形侧壁。

13.一种制造一集成电路的方法，其特征在于，该方法包含：

提供包含一第一电极的一前工艺晶片；

沉积一介电材料层在该前工艺晶片之上；

刻蚀一开口在该介电材料层的内以暴露出该第一电极的一部位；

刻蚀该第一电极的该暴露出的部位以形成一凹陷部位于该第一电极；以及

沉积电阻变化材料于该开口及该凹陷部位。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，提供该前工艺晶片的步骤包含提供一前工艺晶片包括具有一第一层及一第二层在该第一层的上的一第一电极，以及

其中刻蚀该第一电极的该暴露的部位包含选择性刻蚀该第二层以露出该第一层而形成该凹陷部位。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，刻蚀该第一电极的该露出的部位包含刻蚀该露出的部位至一深度，而该深度大于该开口临界尺寸的10％。

16.一种用来制造一存储器的方法，其特征在于，该方法包含：

提供包含一电极的一前工艺晶片；

沉积一介电材料层在该前工艺晶片之上；

刻蚀一孔洞在该介电材料层的内以暴露出该电极的一部位；

刻蚀该电极的该暴露出的部位以形成一凹陷部位于该电极；以及

沉积电阻变化材料于该开口及该凹陷部位。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，刻蚀该孔洞步骤包含刻蚀具有一渐变细的侧壁的一孔洞。