[发明专利]太阳电池模块及其制造方法有效
| 申请号: | 200880132118.2 | 申请日: | 2008-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN102224598A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 中田仗祐 | 申请(专利权)人: | 京半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳电池模块,构成为具备配置成多列多行的矩阵状且具有光电转换功能的多个球状半导体组件,且将各列的多个球状半导体组件以使所述球状半导体组件的导电方向与矩阵的行方向一致的方式经由导线部件并联的太阳电池阵列的太阳电池模块,其特征在于,
所述球状半导体组件具备:p型或n型的球状半导体、和形成于该球状半导体表层部的部分球面状pn接合,
所述太阳电池阵列具备:各列的多个球状半导体组件、至少一对旁路二极管、和将多个球状半导体组件与多个旁路二极管并联的一对导线部件,
所述导线部件具有:一或多条导电串,使多个球状半导体组件电性连接,且宽度为球状半导体组件的半径以下的窄幅、和多片导电片,在导线部件的至少两端部与所述导电串一体形成,且使所述旁路二极管与球状半导体组件电性上反向并联,且宽度为所述旁路二极管的宽度以上的宽幅。
2.如权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
所述球状半导体组件在通过其中心且与所述行方向平行的轴在线,在球状半导体组件的两端部形成为点状,且经由与pn接合的两端形成低电阻连接的一对第一导电连接部连接至所述导电串。
3.如权利要求2所述的太阳电池模块,其特征在于,
所述旁路二极管在通过其中心且与所述行方向平行的轴线上,形成于旁路二极管的两端部,且经由与旁路二极管的pn接合的两端形成低电阻连接的一对第二导电连接部连接至所述导电片。
4.如权利要求3所述的太阳电池模块,其特征在于,
使多个列的全部的多个球状半导体组件的导电方向一致成同一方向,邻接于矩阵的行方向的太阳电池阵列共同具有位于所述球状半导体组件的太阳电池阵列之间的导线部件,且各行中的多个球状半导体组件及各行中的多个旁路二极管经由多个导线部件串联。
5.如权利要求3所述的太阳电池模块,其特征在于,
使多列中全部的多个球状半导体组件的导电方向一致成同一方向,在邻接于矩阵的行方向的太阳电池阵列彼此间设置绝缘材料制的一或多个间隔件,且将外部导线一体形成于导线部件的至少一端部。
6.如权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
所述多个太阳电池阵列构成为平板状,
设置以将所述多个太阳电池阵列的两面侧遮挡的一对平行的面板部件,在所述一对面板部件之间充填将多个球状半导体组件、和多个导线部件进行树脂密封的透明合成树脂,且以透明材料构成至少太阳光入射侧的面板部件。
7.如权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
所述多个太阳电池阵列在矩阵的列方向形成多等分的一或多个反曲点,构成为相连的多个部分圆筒面状或一个部分圆筒面状,
设置第一弯曲面板部件和第二弯曲面板部件,第一弯曲面板部件将所述多个太阳电池阵列的太阳光入射侧的面遮挡,其形状沿着所述一或多个部分圆筒面而构成且以透明材料制,而第二弯曲面板部件将多个太阳电池阵列的太阳光入射侧的相反侧的面遮挡,且其形状沿着所述一或多个部分圆筒面而构成,并且在所述第一、第二弯曲面板部件之间,充填有将多个球状半导体组件和多个导线部件进行树脂密封的透明合成树脂。
8.如权利要求3所述的太阳电池模块,其特征在于,
在所述矩阵列方向的导线部件中的一或多个中途部,一体形成有与所述导电片同样的一或多片中间导电片,并设置有与各列的一或多片中间导电片对应的旁路二极管。
9.如权利要求6所述的太阳电池模块,其特征在于,
是以藉由夹持固定于所述一对面板部件间的多片导电片,设定一对面板部件间的间隔的方式而构成。
10.如权利要求7所述的太阳电池模块,其特征在于,
是以藉由夹持固定于所述第一、第二弯曲面板部件间的多片导电片,设定第一、第二弯曲面板部件间的间隔的方式而构成。
11.如权利要求1所述的太阳电池模块,其特征在于,
在所述导电片的外端部,形成有在太阳电池模块的组装时用以卡合于外部的引导部件的卡合部。
12.如权利要求6所述的太阳电池模块,其特征在于,
在所述一对面板部件中,在太阳光入射侧的相反侧的面板部件的内面或外面,形成有反射膜或实施有装饰的印刷膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





