[发明专利]用于处理衬底的设备和方法

权利要求书

1.一种用于处理衬底的设备，其包括：

腔室，其提供反应空间；

平台，其安装在所述腔室中；

等离子屏蔽单元，其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着；

支撑单元，其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底；

第一供应管，其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面；以及

第二和第三供应管，其提供于所述等离子屏蔽单元处，所述第二供应管将所述反应气体供应到所述衬底的另一表面，所述第三供应管将所述非反应气体供应到所述另一表面。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括用于提起所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者的驱动单元。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者具有朝向所述衬底而突起的突起部分。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述突起部分经形成以使得所述突起部分的平面面积小于所述衬底的平面面积。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述突起部分经形成以使得所述突起部分的平面直径小于所述支撑单元的内径。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述支撑件包括：臂部分，其在所述腔室中扩展和收缩；以及支撑部分，其在所述臂部分的一端处向内弯曲以在其顶部表面上支撑所述衬底的边缘区。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述臂部分安装到所述腔室的上侧或下侧。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述支撑部分的弯曲部分形成为平坦或倾斜的。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述支撑部分以单个环的形状或以呈单个环的形状而布置的多个区段的形状来形成。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述反应气体通过所述第二供应管而供应到所述衬底的边缘区，且所述非反应气体通过所述第三供应管而供应到所述衬底的中心区。

11.一种用于处理衬底的方法，其包括：

在平台与等离子屏蔽单元之间安置衬底；

将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为所述衬底搁置于所述平台上的状态中的第一间隙；

通过所述等离子屏蔽单元而将反应气体供应到所述衬底的边缘区，进而在所述衬底上执行初级等离子处理工艺；

将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的所述间隙调整为所述平台和所述衬底彼此间隔开的状态中的第二间隙；以及

通过所述平台而将反应气体供应到所述衬底的后部区，进而在所述衬底上执行次级等离子处理工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中调整所述第一和第二间隙以具有使等离子在所述衬底的中心区与所述等离子屏蔽单元之间未被激活的距离。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将等离子未被激活的所述距离设定于0.1到0.7mm的范围内。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述反应气体包括氟自由基或氯自由基。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述氟自由基包括CF₄、CHF₄、SF₆、C₂F₆、C₄F₈和NF₃中的至少一者，且所述氯自由基包括BCl₃和C1₂中的至少一者。

16.根据权利要求11所述的方法，其中在执行所述初级等离子处理工艺的过程中，通过所述等离子屏蔽单元而将非反应气体供应到所述衬底的所述中心区。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述非反应气体包括氧气、氢气、氮气和惰性气体中的至少一者。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底通过被支撑于支撑单元上而安置于所述平台与所述等离子屏蔽单元之间。

19.根据权利要求18所述的方法，其中通过提起所述支撑单元、所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者来调整所述第一和第二间隙。