[发明专利]用于保护高速接口的阻抗补偿ESD电路及使用其的方法无效
申请号: | 200880120460.0 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101897095A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | J·C·邓尼胡;R·基蒙托 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚微型装置公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 叶勇 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保护 高速 接口 阻抗 补偿 esd 电路 使用 方法 | ||
本发明要求享有2007年12月11日提交的美国临时申请NO.61/007,298,名称为“Impedance Compensated ESD Protection For High-Speed Interfaces”的优先权,该申请特别地通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于保护高速接口的阻抗补偿ESD电路及使用其的方法。
背景技术
许多公司目前都有配置有多个高速I/O界面的电子系统处于开发中。这些系统和接口必须满足多个工业标准信号完整规范,例如,以HDMI标准为例,有HDMI一致性规范。此外,还有工业广泛的ESD/EOS(电过载)耐久等级。许多这些系统的目标信号完整需求确保系统可通过BERT测试、眼图波罩或被动式TDR传输线分析的互操作性。
图1示出了执行ESD/EOS保护的传统系统的一个简化的例子。注意,下面示出的系统可使用典型的分路型ESD钳位或串联型ESD保护,其中信号从一侧进入并从另一侧几何相同地出去。这些高速应用的目的是包括ESD保护而不沿着从连接器(P1)至接收机或发射机ASIC(DUP)的传输线插入明显的阻抗不连续。
传统系统具有保护下的器件(DUP)和测试下的器件(DUT),其中具有ESD产品使DUT与DUP并联的“分路机构”。在具有二极管的传统ESD结构中,一端连接到信号线且另一端接地。所以,在这样的结构中,该ESD二极管总是与DUP并联。在这些现有器件中,例如来自CMD的CM1213,DUT的串联寄生电阻和电感工作为排斥从DUP引走ESD电流,且并联寄生电容在感兴趣的频段中产生阻抗不连续。
在传统的DUT中,芯片键合线和其它寄生电感在高频和快速脉冲边缘率(fast pulse edge rates)(即,在ESD事件中)时表现出高阻抗。从DUP中引走的电流量被键合线和这些寄生元件所阻碍。结果,DUP仍在很大程度上直接暴露于ESD的威胁下,如下所示。
在波段中,ESD钳位电路的寄生电容性负载,此处示为C(PAR)可降低从连接器至ASIC(DUP)的位于ESD DUT附近的传输线的阻抗。为抵消这个,标准做法是调整(典型地为增加)在DUT附近的传输线的特征阻抗以抵消(典型地为降低)这个ESD DUT布置的阻抗不连续。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种集成的ESD/EOS保护的解决方案,其简化用于信号的完整一致性的系统PCB设计。
作为提供该解决方案的一部分,也期望实现改进的ESD/EOS保护和改进的PCB布线。
附图说明
本发明的这些和其它方面和特征,在下面结合附图参考描述的本发明的具体实施例的基础上,将为本领域普通技术人员所知,其中:
图1示出传统的并联ESD连接;
图2示出一种根据本发明的实施例的串联ESD连接;
图3a-b分别示出一种传统的ESD下方连接和一种根据本发明的穿通ESD连接;
图4示出一种本发明使用二极管的具体实施。
图5示出一种根据本发明的差分对实施。
图6示出了频谱图,其示出根据本发明的流通(flow-through)方式的优势。
图7示出一种根据本发明使用图4的电路的具体实施。
具体实施方式
在根据本发明的系统中,如图2所示,DUT与DUP串联。结果,ESD事件在到达DUP之前必须经过DUT。进一步,寄生串联电感和电阻与DUT一起工作,以减小进入DUP的电流。
由此“流通”拓扑,可在感兴趣的频段下在ESD DUT封装中完全地执行上述的预补偿,这样减小系统PCB中的“调节”(tuning)的需要。这有利于PCB设计的简化和上市时间的减少。尽管DUP和EMI滤波器件的串联是公知的,但该EMI滤波器件用于在高频区域过滤掉不需要的信号。相反,采用本发明的DUT,高频信号无衰变地通过。
根据本发明的DUT,如图2中所示的信号通道执行,可更普通地描述为并入如下所示的串联“T-网络”中的分路型ESD钳位。为了术语的清楚,双向I/O线朝向连接器被标识为“OUT”(出),并且朝向ASIC(DUP)被标识为“IN”(入)。这种“单端”钳位的物理实现如图3b所示,其中,如所示,不允许信号从ESD器件下通过(如图3a所示)而是信号穿过ESD器件,如所示,信号PCB迹线不是单线。如所示,结果,在ESD器件的任一侧上的键合线自身为“L(PAR)”,如上面的图所示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚微型装置公司,未经加利福尼亚微型装置公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880120460.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:提供改进的连接失败检测
- 下一篇:各向异性导电接合组件