[发明专利]用于可选择电压供应的方法及设备

权利要求书

1.一种从多个电压供应中选择供应电压的电路，其包含：

第一晶体管，其经配置以选择第一电压供应；

第二晶体管，其经配置以选择第二电压供应；

第一寄生电流禁止器，其耦合到所述第一晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第一寄生电流禁止器自动利用提供最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第一晶体管的体节点；以及

第二寄生电流禁止器，其耦合到所述第二晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第二寄生电流禁止器自动利用提供所述最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第二晶体管的体节点。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一寄生电流禁止器将所述最高电压施加到所述第一晶体管的所述体节点，且所述第二寄生电流禁止器将所述最高电压施加到所述第二晶体管的所述体节点。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一寄生电流禁止器进一步包含：

第三晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到所述第一晶体管的所述体节点的源极节点；以及

第四晶体管，其具有连接到所述第二电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到所述第三晶体管的所述源极节点的源极节点。

4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第三及第四晶体管为n-沟道晶体管。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二寄生电流禁止器进一步包含：

第五晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的栅极节点、连接到所述第二电压供应的源极节点及连接到所述第二晶体管的所述体节点的漏极及体节点；以及

第六晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的漏极节点及栅极节点、连接到所述第五晶体管的所述漏极节点的源极节点。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第五晶体管为p-沟道晶体管且第六晶体管为n-沟道晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路，其中

所述第一晶体管为p-沟道晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的源极节点、耦合到所述第一寄生电流禁止器的所述体节点、耦合到输出节点的漏极节点及接收第一电压选择信号的栅极节点，且进一步其中

所述第二晶体管为p-沟道晶体管，其具有连接到所述第二电压供应的源极节点、耦合到所述第二寄生电流禁止器的所述体节点、耦合到所述输出节点的漏极节点及接收第二电压选择信号的栅极节点。

8.根据权利要求7所述的电路，其中

所述第一晶体管在所述第一电压选择信号为开启状态时完成所述第一电压供应与所述输出节点之间的电流路径；以及

所述第二晶体管在所述第二电压选择信号被设定处于开启状态时完成所述第二电压供应与所述输出节点之间的电流路径。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路将选自多个电压供应的供应电压提供到移动终端中的一个或一个以上组件。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述所选择的供应电压被提供到所述移动终端内的正交调制器与可变增益放大器单元内的变压器的初级侧。

11.根据权利要求9所述的电路，其中所述所选择的供应电压被提供到所述移动终端内的低噪声放大器、降频转换器或压控振荡器中的至少一者。

12.一种用于减轻可选择电压供应中的寄生电流的电路，其包含：

第一n-沟道晶体管，其具有连接到第一电压供应的漏极节点及栅极节点，其中所述第一n-沟道晶体管在所述第一电压供应有效时耦合第一供应切换晶体管的体节点及源极节点；以及

第二n-沟道晶体管，其具有连接到第二电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到所述第一n-沟道晶体管的所述源极节点的源极节点，其中所述第二n-沟道晶体管在所述第一电压供应无效时将反向偏压施加到所述第一供应切换晶体管。