[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其用于向被处理基板上供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体，形成CuMn膜，其特征在于，具备：

收容被处理基板的处理容器；

气体供给部，其用于向处理容器内供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体；

气体导入部，其用于向所述处理容器内导入来自所述气体供给部的气体；和

对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，

所述气体供给部具有：储存液态的Cu原料的Cu原料储存部；

储存液态的Mn原料的Mn原料储存部；

使所述Cu原料和所述Mn原料气化的一个气化器；

从所述Cu原料储存部和所述Mn原料储存部向所述气化器导入Cu原料和Mn原料的原料供给单元；和

从所述气化器向所述气体导入部导入Cu原料气体和Mn原料气体的原料气体供给配管。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述Cu原料和所述Mn原料处于溶解在溶剂中的状态。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述气体供给部还具有：

储存清洁用的蚀刻溶液的蚀刻溶液储存部；和

从所述蚀刻溶液储存部向所述气化器导入蚀刻溶液的蚀刻溶液供给单元，

蚀刻溶液在所述气化器中被气化。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述被气化的蚀刻气体被供给到所述处理容器、所述气体导入部、所述原料气体供给配管，对它们进行清洁。

5.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述被气化的蚀刻气体，在形成CuMn膜之前被供给到所述处理容器内，进行CuMn膜形成前的基板的还原清洁。

6.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述蚀刻溶液是有机酸。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：

所述蚀刻溶液选自H(hfac)、TFAA(三氟乙酸)、乙酸、甲酸。

8.一种成膜装置，其用于向被处理基板上供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体，形成CuMn膜，其特征在于，具备：

收容被处理基板的处理容器；

气体供给部，其用于向处理容器内供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体；

气体导入部，其用于向所述处理容器内导入来自所述气体供给部的气体；和

对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，

所述气体供给部具有：储存液态的Cu原料的Cu原料储存部；

储存液态的Mn原料的Mn原料储存部；

导入所述Cu原料和所述Mn原料、将两者混合的混合部；

从所述Cu原料储存部向所述混合部导入Cu原料的Cu原料供给配管；

从所述Mn原料储存部向所述混合部导入Mn原料的Mn原料供给配管；

使在所述混合部形成的所述Cu原料和所述Mn原料的混合体气化的一个气化器；

从所述混合部向所述气化器导入所述混合体的混合原料供给单元；和

原料气体供给配管，其用于向所述气体导入部导入在所述气化器中所述混合体气化而形成的原料气体。

9.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于：

所述气体供给部具有流量控制机构，该流量控制机构用于控制所述Cu原料的流量和所述Mn原料的流量。

10.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于：

在40～200℃范围内的相同温度下，Cu原料的蒸气压与Mn原料的蒸气压之比在1∶20～20∶1的范围内。

11.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于：

所述Cu原料是Cu(hfac)TMVS和Cu(hfac)₂的任一种，所述Mn原料是(MeCp)₂Mn、(EtCp)₂Mn和(MeCp)Mn(CO)₃的任一种。

12.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于：

所述Cu原料和所述Mn原料溶解在共同的溶剂中。