[发明专利]变电阻存储器装置

权利要求书

1.一种变电阻存储器装置，包括：

基元阵列，其具有存储器基元的排列，每一个存储器基元存储被可逆 地设定的电阻值作为数据；

感测放大器，其操作为从所述基元阵列的被选择的存储器基元读取所 述数据；以及

电压产生电路，其操作为在已经读取所述被选择的存储器基元的所述 数据之后根据所述数据产生用于收敛所述被选择的存储器基元的电阻状态 的电压脉冲，其中

所述存储器基元执行对具有高电阻状态和低电阻状态的二值数据的存 储，其中所述高电阻状态为稳定状态，并且

所述电压产生电路被设置为在数据读出导致所述被选择的存储器基元 处于所述低电阻状态时产生这样的电压脉冲，该电压脉冲高于在数据读取 期间施加到所述被选择的存储器基元的读取电压。

2.一种变电阻存储器装置，包括：

基元阵列，其具有存储器基元的排列，每一个存储器基元存储被可逆 地设定的电阻值作为数据；

感测放大器，其操作为从所述基元阵列的被选择的存储器基元读取所 述数据；以及

电压产生电路，其操作为在已经读取所述被选择的存储器基元的所述 数据之后根据所述数据产生用于收敛所述被选择的存储器基元的电阻状态 的电压脉冲，其中

所述存储器基元执行对由至少三个电阻值限定的多值数据的存储，其 中最大电阻值状态为稳定状态，并且

所述电压产生电路被设置为在数据读出导致所述被选择的存储器基元 处于小于或等于预定值的电阻值状态时产生这样的电压脉冲，该电压脉冲 高于在数据读取期间施加到所述被选择的存储器基元的读取电压，并且读 出的电阻值越高，该电压脉冲越低。

3.根据权利要求2的变电阻存储器装置，其中所述从所述被选择的存 储器基元读取数据的操作为在将数据写入到所述被选择的存储器基元中的 操作之后的验证读取操作。

4.一种变电阻存储器装置，包括：

基元阵列，其具有存储器基元的排列，每一个存储器基元存储被可逆 地设定的电阻值作为数据；

感测放大器，其操作为从所述基元阵列的被选择的存储器基元读取所 述数据；以及

电压产生电路，其操作为在已经读取所述被选择的存储器基元的所述 数据之后根据所述数据产生用于收敛所述被选择的存储器基元的电阻状态 的电压脉冲，其中

所述存储器基元执行对由至少三个电阻值限定的多值数据的存储，其 中最大电阻值状态为稳定状态，并且

所述电压产生电路被设置为在数据读出导致所述被选择的存储器基元 处于小于或等于预定值的电阻值状态时产生这样的电压脉冲，该电压脉冲 高于在数据读取期间施加到所述被选择的存储器基元的读取电压，并且读 出的电阻值越高，该电压脉冲的脉冲宽度越大。

5.一种变电阻存储器装置，包括：

基元阵列，其具有存储器基元的排列，每一个存储器基元存储被可逆 地设定的电阻值作为数据；

感测放大器，其操作为从所述基元阵列的被选择的存储器基元读取所 述数据；以及

电压产生电路，其操作为在已经读取所述被选择的存储器基元的所述 数据之后根据所述数据产生用于收敛所述被选择的存储器基元的电阻状态 的电压脉冲，其中

所述存储器基元执行对由至少三个电阻值限定的多值数据的存储，其 中最大电阻值状态为稳定状态，并且

所述电压产生电路被设置为在数据读出导致所述被选择的存储器基元 处于小于或等于预定值的电阻值状态时产生这样的电压脉冲，该电压脉冲 高于在数据读取期间施加到所述被选择的存储器基元的读取电压，并且读 出的电阻值越高，该电压脉冲的电势越低且脉冲宽度越大。