[发明专利]具有旋转过滤器装置的光刻设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有专用的过滤器装置的光刻设备，涉及一种过滤 器装置本身，涉及一种用于制造这样的过滤器装置的方法和一种器件制 造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的 目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制 造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置 用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬 底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多 个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的 辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的 相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机 中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部 分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方 向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所 述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底 上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

在光刻投影设备中，可以在衬底上成像的特征的尺寸受投影辐射的 波长的限制。为了制造具有更高密度的器件和因此具有更高操作速度的 集成电路，期望能够使较小特征成像。虽然大多数现有的光刻投影设备 采用由汞灯或者准分子激光器产生的紫外光，但是已经提出使用较短波 长的辐射，例如大约13纳米。这样的辐射被称为极紫外(EUV)或者软 x-线，和可能的源包括例如激光诱导等离子体源、放电等离子体源或者来 自电子储存环的同步加速器辐射。

极紫外辐射源典型地是等离子体源，例如激光诱导等离子体或者放 电源。任何等离子体源的公共特征是产生快速离子和原子，其在所有方 向上被从等离子体发射出。这些粒子可能损坏收集器和聚集器反射镜， 所述收集器和聚集器反射镜通常是具有易碎表面的多层反射镜或掠入射 反射镜。由于从等离子体发射出的粒子的冲击或者溅射使得这一表面逐 渐劣化，且因此减少了反射镜的寿命。对于辐射收集器或者收集器反射 镜，溅射作用尤其是有问题的。收集器的目的是收集辐射，其由等离子 体源在所有方向上发射且朝向照射系统中的其它的反射镜引导它。辐射 收集器非常靠近等离子体源中的EUV源定位，并在视线上与之对齐，并 且因此接收来自等离子体的大通量的快速粒子。因为在系统中的其它反 射镜可以被一定程度地屏蔽，所以它们通常被从等离子体发射出的粒子 的溅射损坏的程度较小。

在不久的将来，极紫外(EUV)源将可能使用锡(Sn)或者另一金属蒸 汽，用于产生EUV辐射。这样的锡可以沉积在反射镜上，例如辐射收集 器的反射镜，和/或泄漏到光刻设备中。这样的辐射收集器的反射镜可以 具有例如钌(Ru)的EUV反射顶层。沉积在反射钌层上的大于约10纳米 锡(Sn)可以如块状锡一样的方式反射EUV辐射。因为锡的反射系数比钌 的反射系数低很多，将显著地减少收集器的整个传输。

PCT专利申请出版物No.WO99/42904公开了一种过滤器，其在使用 中位于一路径中，辐射沿着该路径远离源传播。过滤器可以因此放置在 辐射源和例如照射系统之间。过滤器包括多个翼片，该翼片在使用中俘 获碎片粒子，诸如原子和微粒。此外，这样的微粒的簇团可以被这些翼 片俘获。这些翼片被定向，使得辐射仍然能够穿过过滤器传播。翼片可 以是平坦的或者圆锥形的，且可以被围绕路径径向地布置。源、过滤器 和投影系统可以布置在缓冲气体中，例如约0.5托的压力的氪 (krypton)中。

PCT专利申请出版物No.WO 03/034153公开一种污染物阻挡件，其 包括第一组翼片和第二组翼片，使得离开源的辐射首先穿过第一组翼 片，之后穿过第二组翼片。第一和第二组翼片分别限定了第一组通道和 第二组通道。两组通道是间隔开的，他们之间留下一空间，气体供给装 置将冲洗气体供应到所述空间中。排气系统可以被设置以从污染物阻挡 件除去气体。

欧洲专利申请出版物No.EP1434098提供一种污染物阻挡件，其包 括内环和外环，其中每一翼片可滑动地定位于内环和外环中的至少一个 中的至少一个中的沟槽中的其外端中的至少一个上。通过可滑动地定位 翼片的外端中的一个，翼片可以在径向方向上扩展。所述污染物阻挡件 可以包括布置以冷却所述环中的一个的冷却系统，所述翼片热连接至所 述环中的一个上。