[发明专利]用于先进内存器件的自行对准的狭型储存元件

权利要求书

1.一种形成用于半导体结构(100)的亚光刻电荷储存元件的方法， 包括：

在半导体衬底(106)上并行设置第一层(102)和第二层(104)， 该第一层(102)的侧表面的一部分与该第二层(104)的侧表面接 触，该第一层(102)的高度大于该第二层(104)的高度，该第一 层(102)与该第二层(104)各自与该半导体衬底(106)接触，该 第二层包括电荷俘获材料；

形成间隔件(202)，该间隔件(202)邻接具有与该第二层(104) 的该侧表面接触的该部分的该第一层(102)的该侧表面(108)并 且在该第二层(104)的上表面的一部分上；以及

去除该第二层(104)未被该间隔件(202)覆盖的暴露部分。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括，去除该间隔件(202)和 去除该第一层(102)的上方部分以降低该第一层(102)的高度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该亚光刻电荷储存元件(302) 具有100埃或以上及500埃或以下的宽度。

4.如权利要求1所述的方法，当去除该第二层(104)未被该间隔件 (202)覆盖的暴露部分时，去除该第一层(102)的上方部分， 以使该第一层(102)的高度缩减至100埃或以上及1000埃或以 下。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该亚光刻电荷储存元件(302) 包括氮化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该亚光刻电荷储存元件(302) 包括硅氮化物和硅氧化物。

7.一种制造用于内存器件的亚光刻电荷储存元件(902)的方法，包 括：

在半导体衬底(510)之上依次设置第一氧化物层(502)、氮 化物层(504)、第二氧化物层(506)以及第一多晶层(508)；

在该第一氧化物层(502)、该氮化物层(504)、该第二氧化 物层(506)以及该第一多晶层(508)中形成开口(606)；

通过该开口(606)而在该半导体衬底(510)中形成注入部分 (602)；

在该开口(606)中形成第一层(604)；

去除该第一多晶层(508)；

形成间隔件(802)，该间隔件(802)邻接该第一层(604)的 侧面(704)并且在该第二氧化物层(506)的上表面的一部分上；

以及

去除该第二氧化物层(506)和该氮化物层(504)未被该间隔件(802) 覆盖的暴露部分。